Datasheet> 器件分类 > 无源元件> 电容器> C1206N431K1GPC

C1206N431K1GPC: 产品描述Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 100V, 10% +Tol, 10% -Tol, BP, 30ppm/Cel TC, 0.00043uF, Surface Mount, 1206, CHIP; 产品类别无源元件电容器; 文件大小459KB，共5页; 制造商KEMET(基美); 官网地址http://www.kemet.com; 标准

下载文档详细参数全文预览

C1206N431K1GPC概述

Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 100V, 10% +Tol, 10% -Tol, BP, 30ppm/Cel TC, 0.00043uF, Surface Mount, 1206, CHIP

C1206N431K1GPC规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	KEMET(基美)
包装说明	, 1206
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
电容	0.00043 µF
电容器类型	CERAMIC CAPACITOR
介电材料	CERAMIC
高度	1.3 mm
JESD-609代码	e3
长度	3.2 mm
制造商序列号	C
安装特点	SURFACE MOUNT
多层	Yes
负容差	10%
端子数量	2
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
封装形状	RECTANGULAR PACKAGE
封装形式	SMT
包装方法	BULK; TR, 7 INCH
正容差	10%
额定（直流）电压（URdc）	100 V
参考标准	MIL-PRF-55681
系列	C(SIZE)N
尺寸代码	1206
表面贴装	YES
温度特性代码	BP
温度系数	30ppm/Cel ppm/°C
端子面层	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形状	WRAPAROUND
宽度	1.6 mm
Base Number Matches	1

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

CERAMIC CHIP/MIL-PRF-55681

CAPACITOR OUTLINE DRAWINGS

CHIP DIMENSIONS

“SOLDERGUARD I” *

SOLDER

“SOLDERGUARD II”

TINNED

NICKEL

ELECTRODES

SILVER

METALLIZATION

ELECTRODES

NICKEL

SILVER

METALLIZATION

Military Designation - “S” or “U”

KEMET Designation - “H”

Military Designation - “W” or “Y”

KEMET Designation - “C”

DIMENSIONS—MILLIMETERS AND (INCHES)

STYLE

KEMET

SIZE

CODE

MIN.

MAX.

CDR01

CDR02

CDR03

CDR04

CDR05

CDR06

CDR31

CDR32

CDR33

CDR34

CDR35

C0805

C1805

C1808

C1812

C1825

C2225

C0805

C1206

C1210

C1812

C1825

2.03 ±.38 (.080 ±.015)

4.57 ±.38 (.180 ±.015)

+.51

+.020

4.57

.180

–.38

–.015

5.72 ±.51 (.225 ±.020)

2.00 ±.20 (.078 ±.008)

3.20 ±.20 (.125 ±.008)

3.20 ±.25 (.125 ±.010)

4.50 ±.25 (.176 ±.010)

4.50 ±.30 (.176 ±.012)

(

)

1.27 ±.38 (.050 ±.015)

2.03 ±.38 (.080 ±.015)

3.18 ±.38 (.125 ±.015)

+.51

+.020

6.35

.250

–.38

–.015

6.35 ±.51 (.250 ±.020)

1.25 ±.20 (.049 ±.008)

1.60 ±.20 (.062 ±.008)

2.50 ±.25 (.098 ±.010)

3.20 ±.25 (.125 ±.010)

6.40 ±.30 (.250 ±.012)

.56 (.022)

.51 (.020)

1.40 (.055)

2.03 (.080)

1.30 (.051)

1.50 (.059)

.51 ± 0.25 (.020 ±.010)

.50 ± 0.20 (.020 ±.008)

.50 ± 0.25 (.020 ±.010)

.50 ± 0.30 (.020 ±.012)

(

)

Note: For Solderguard I (MIL-C55681 “S” or “U” Endmets), the length, width and thickness positive tolerances (including bandwidth) cited above are allowed to increase by the following

amounts:

Width/Thickness

Length

CDR01

0.51MM (.020)

0.38MM (.015)

CDR02-06

0.64MM (.025)

0.38MM (.015)

CDR31-35

0.60MM (.023)

0.30MM (.012)

MIL-PRF-55681 PART NUMBER ORDERING INFORMATION

CDR01

B P

101 B K

S M

STYLE & SIZE CODE

STYLE

C — Ceramic

D — Dielectric, Fixed Chip

R — Established Reliability

FAILURE RATE LEVEL

(%/1000 hrs.)

TERMINATION FINISH

S — Solder Coated, Final

(SolderGuard I)

U — Base Metalization—

Barrier Metal—Solder

Coated (SolderGuard I)

W — Base Metalization—

Barrier Metal—Tinned

Tin or (Tin/Lead Alloy)

SolderGuard II

Y — Base Metalization

Barrier Metal—Tinned

(100% Tin) Solderguard II

RATED TEMPERATURE

–55°C to +125°C

DIELECTRICS

P —± 30 PPM/°C—WITH OR WITHOUT VOLTAGE

X —± 15%—without voltage

+ 15%, –25%—with voltage

CAPACITANCE

Expressed in picofarads (pF).

First 2 digits represent significant figures and the last digit specifies the number of zeros to follow.

(Use 9 for 1.0 through 9.9pF. Example: 2.2pF = 229)

CAPACITANCE TOLERANCE

±.1 pF ±.25 pF ±.5 pF ±1%

±5%

±10% ±20%

RATED VOLTAGE

A — 50; B — 100

KEMET/MIL-PRF-55681 PART NUMBER EQUIVALENTS

C 0805

P 101 K

1 G M C*

CERAMIC

SIZE CODE

See Table Above

END METALIZATION

C — SolderGuard II

(100% Sn)

(Military equiv: Y, W)

H — SolderGuard I

(Sn60)

(Military equiv: S, U)

SPECIFICATION

P -MIL-PRF-55681 = CDR01-CDR06

N-MIL-PRF-55681 = CDR31-CDR35

FAILURE RATE

(%/1,000 hrs.)

M — 1.0

P — 0.1

R — 0.01

S — 0.001

CAPACITANCE CODE

Expressed in picofarads (pF).

First two digits represent significant figures.

Third digit specifies number of zeros. (Use 9

for 1.0 thru 9.9 pF. Example: 2.2 pF –229)

VOLTAGE TEMPERATURE CHARACTERISTIC

Designated by Capacitance

Change Over Temperature Range

G — BP (C0G/NP0) (±30 PPM/°C)

X — BX (±15% Without Voltage

+15% -25% With Voltage)

CAPACITANCE TOLERANCE

.1 pF

.25 pF

.5 pF

10%

20%

VOLTAGE

1 — 100V, 5 — 50V

* Part Number Example: C0805P101K1GMC

(14 digits - no spaces)

Ceramic Surface Mount

M — 1.0

P — 0.1

R — 0.01

S — 0.001

推荐资源

适合H104R型传感器的湿度-温度的测量电路

三相方波发生器电路

美国国家半导体推出两款全球最小巧的音频放大器,进一步加强这系列芯片的产品阵容: 美国国家半导体推出两款全球最小巧的音频放大器,进一步加强这系列芯片的产品阵容新推出的 Boomer AB 类 (Class AB) 单声道放大器及立体声耳机放大器属于迷你型芯片,最适用于外型小巧纤薄的 ......; fighting 模拟电子

CAN总线通讯问题: 小弟最近在看CAN总线方面的资料。有些许疑惑，请各位指点一下。在CAN2.0标准数据帧冲裁区里面的BASIC ID 规定为 11bits，然后是 1 bit的RTR，而控制场为 6bits的包括4位数据长度和2位保留 ......; luoxinmjun520 嵌入式系统

485通信协议问题浅析: RS-485接口大多都是基于RS-232接口与电脑进行通信的，485协议编程都是基于串口编程的，而由于RS-232与RS-485接口的不同，由于RS-232只支持点对点通信，全双工通信，而RS-485是支持点对多点通信 ......; dingxinhongda 工业自动化与控制

关于GD32E230I2C 作为从机的问题: 423880423881上面是GD作为从机的例程，但是烧录进去后，发现无法通信而且会卡在while(!i2c_flag_get(I2C0, I2C_FLAG_RBNE))里面死循环，用示波器测量的时候发现会挂死I2C，除了GPIO模拟I2C之外 ......; specially GD32 MCU

调试USB驱动时致使PC直接关机，可能的原因是什么呢？: 我使用的CPU是S3C2442，USB电源是self-power模式，PC的电源线没有引到板子上。...; andyye1630 嵌入式系统

伴着川普的宣传射频君在近两年是火了不能再火了到处是文章分享一个: 射频芯片千亿市场，国产能全面替代吗？凡是接入移动互联网的设备均需要射频前端芯片，随着联网设备数量持续增加，射频芯片市场持续增长。据Yole 数据，2018年全球移动终端射频前端市场 ......; btty038 无线连接

单片机STM32的启动文件详解--学习笔记

　　启动文件简介　　启动文件由汇编编写，是系统上电复位后第一个执行的程序。主要做了以下工作：　　1、初始化堆栈指针SP=_initial_sp 　　2、初始化PC 指针=Reset_Handler 　　3、初始化中断向量表　　4、配置系统时钟　　5、调用C 库函数_main 初始化用户堆栈，从而最终调用main 函数去到C 的世界　　查找ARM 汇编指令　　在讲解启动代码的时候，会涉...[详细]
USART波特率 vs SPI速率--学习笔记

　　本篇文章将与大家探讨USART波特率 vs SPI速率。这里提出一个问题，为什么USART的波特率是内核时钟的1/8或者1/16，而SPI最快的频率可以是内核时钟的1/2。　　请大家带着这个问题来阅读本文。　　　　串口和SPI内部时钟　　在回答上面问题之前，需要先了解STM32内部时钟的概念，尤其是串口和SPI的内部时钟。　　STM32里包含有系统时钟、AHB时钟和APB时钟...[详细]
基于CPLD的LED点阵显示控制器设计

　　场可编程器件(FPGA和 CPLD )等ISP器件无须编程器，利用器件厂商提供的编程套件，采用自顶而下的模块化设计方法，使用原理图或硬件描述语言(VHDL)等方法来描述电路逻辑关系，可直接对安装在目标板上的器件编程。它易学、易用、简化了系统设计，减小了系统规模，缩短设计周期，降低了生产设计成本，从而给电子产品的设计和生产带来了革命性的变化。本文引用地址： https://www.eepw...[详细]
新能源动力电池“三高”关键材料与技术分析和研究

前段时间参加了中国化学会第四届能源化学论坛学习了关于高比能高安全电池相关信息，再次总结和大家分享。全球新能源汽车（纯电和插混）销售量，2023年为1465万辆，2024年1823万辆。中国新能源汽车发展，迈入全球化的高质量发展新阶段，2023年新能源汽车累计销量950万辆，全球占比达到64.8，2024年累计销量达到1286万辆，全球占比70.5%。 2024年全球锂电池产量达...[详细]
全域800V+大电池+全温域5C超充岚海智混技术发布

8月22日，岚图汽车通过线上直播形式正式发布了岚海智混技术。这一项融合了全域800V高压系统、全温域5C超充、63kWh超大电池于一体的智能混动技术，重新定义了混动技术的天花板，实现中国新能源汽车在混动领域的重大技术突破。技术破局，以创新引领混动行业变革中国新能源汽车产业走过了一条从政策驱动到市场驱动、从技术引进到自主研发的跃升之路。混动技术作为过渡阶段的关键路径，经历了四个阶...[详细]
2025智能机器人发展的思考与建议

基于对十余家智能机器人企业的调研，本文梳理并分析了智能产业发展现状及面临的挑战与分歧，从聚合智能视角提出发展建议。 ...[详细]
自动驾驶汽车如何准确识别小物体？

自动驾驶汽车想要在道路上安全行驶，需要识别的东西远比我们所知道的诸如红绿灯、行人、车辆等复杂得多。其中有一个是我们经常会忽略，但同样非常重要的障碍物，那就是小物体，像是地面上常见的小坑、碎石、塑料袋、纸箱角落、掉落的车载零件，甚至是一只小鸟或小猫，都可能对车辆的行驶安全与乘坐舒适性造成影响。小物体检测听起来“小事儿一桩”，但实际难度会高很多。小物体具有目标体积小、与背景对比弱、遮挡...[详细]
STM32必学的时钟系统

相较于51单片机，stm32的时钟系统可以说是非常复杂了，我们现在看下面的一张图：上图说明了时钟的走向，是从左至右的从时钟源一步步的分配给外设时钟。需要注意的是，上图左侧一共有四个时钟源，从上到下依次是：高速内部时钟（HSI）：以内部RC振荡器产生，频率为8Mhz,但相较于外部时钟不稳定。高速内部时钟（HSE）：以外部晶振作为时钟源，晶振频率可取范围为4~16Mhz,一般采用8Mhz的...[详细]
一种新型的电气火灾监控报警系统应用探讨

引言　　据《中国火灾统计年鉴》显示，近十年的火灾事故中，电气火灾所占比例在30%以上，且呈逐年上升的趋势，已成为火灾的主要致灾因素，引起巨大的人财物损失。电气火灾产生的主要原因有短路、过载、接触电阻过大、静电等，其中接地性电弧短路是最危险也多发的电气火灾成因，主要是由于故障点接触不良，未被熔融而迸发出电或者电火花。而且发生电弧性短路的故障点阻抗较大，它的短路电流并不大(略大于300mA的电流...[详细]
影响纯电动汽车爬坡能力的因素是什么

随着近年来新能源汽车逐渐普及，越来越多的人得以接触和购买电动汽车，电动汽车在结构上面是由电机，电控，电池等部件组成车辆的动力系统，对于电动汽车而言很多人在购买的时候除了关注车辆的续航里程等因素以外，同时还会关注车辆的性能，例如它的爬坡性能如何，哪些因素会影响到纯电动汽车的爬坡能力？电动汽车的爬坡能力来说，还是需要从汽车的电机来说起，现在的电动汽车都用的是减速机（非变速箱，也有用两档变速）只...[详细]
如何才能有效延长电动汽车的单次续航里程

电动汽车的续航里程关乎车辆的用车体验，而驾驶电动汽车外出的时候，里程焦虑也是对于使用电动汽车过程中令人头疼的问题。尽管目前最新的电动汽车一次充电可以实现续航五百公里以上的续航，但里程焦虑仍是纯电动车车主内心挥之不去的阴影。对于电动汽车来说，如何才能延长电动汽车的单次续航里程？对于车辆来说，延长车辆的续航里程，需要从驾驶方式，和车辆的使用上面来说，首先对于电动汽车来说，电动汽车的核心部件是电...[详细]
直流变频空调核心大揭秘！

　　夏天是购买和使用空调的高峰，你是否留意空调的能效?你是否购买的是直流变频空调?又是否知道能效与空调用的电机之间的关系呢? 　　空调的原理　　空调器通电后，制冷系统内制冷剂的低压蒸汽被压缩机吸入并压缩为高压蒸汽后排至冷凝器。同时轴流风扇吸入的室外空气流经冷凝器，带走制冷剂放出的热量，使高压制冷剂蒸汽凝结为高压液体。高压液体经过过滤器、节流机构后喷入蒸发器，并在相应的低压下蒸发，吸取周围...[详细]
传感器组合如何为移动设备提供更加智能的通知

　　智能手机有时也会非常不智能。例如：办公室里坐满了人，每个人都在聚精会神地忙工作。寂静忽然被一阵吵闹的流行音乐打破，某个同事的手机在房间里响起，而他正好在外面吸烟休息。手机放在桌面上，由于振动一直移向桌子边沿，另外一个同事不得不起身把它放到一个安全的地方。　　从表面上看，智能手机这样的表现确实不够智能。毕竟，智能手机通常很容易察觉到它们和外部环境之间的关系。　　事实上，智能手机还需要一...[详细]
适者生存――无线充电生态系统

随着物联网(IoT)、可穿戴和便携式设备的发展，消费者开始厌倦杂乱的电缆和需要频繁充电的电池。无线充电的优势远远不止于摆脱线缆的束缚。当前市场上各种各样的近场、远场充电无线技术，其中包括感应式、谐振式、RF、超声及红外线充电，这些技术都需要遵循不同的标准，也需要不同程度的折中。随着人们对无线世界的向往，预计充电技术将出现急剧增长。什么是无线充电?各项技术之间有何区别?我们首先从回答这些问题...[详细]
电动汽车的动力电池衰减问题何时才能解决

动力电池作为电动汽车核心部件和其它电子产品的电池一样，由于电池的特征，电池在使用一定的时间后会出现衰减的情况，这是不可避免的，电动汽车的电池出现衰退后会影响到车辆的续航里程，电池的衰退会使得车辆的续驶里程会存在一定的衰减，而一旦电池出现问题，那么这辆汽车也就等于废了。对于电动汽车来说，电池衰减到底该怎么办？根据电池的特征来说，电池自然衰减是可以进行质保的更换新的电池，根据国家在汽车动力电池...[详细]

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多