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M55342K01W21E0T-TR

产品描述Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.05W, 21000ohm, 40V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0502, CHIP
产品类别无源元件    电阻器   
文件大小100KB,共1页
制造商State of the Art Inc
标准
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M55342K01W21E0T-TR概述

Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.05W, 21000ohm, 40V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0502, CHIP

M55342K01W21E0T-TR规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Objectid1918292348
包装说明, 0502
Reach Compliance Codecompliant
Country Of OriginUSA
ECCN代码EAR99
YTEOL7.75
JESD-609代码e4
安装特点SURFACE MOUNT
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装形状RECTANGULAR PACKAGE
包装方法TR
额定功率耗散 (P)0.05 W
额定温度70 °C
参考标准MIL-PRF-55342
电阻21000 Ω
电阻器类型FIXED RESISTOR
尺寸代码0502
表面贴装YES
技术METAL GLAZE/THICK FILM
温度系数100 ppm/°C
端子面层Gold (Au)
端子形状WRAPAROUND
容差1%
工作电压40 V
SRAM中的功耗来源
在CMOS电路中,功耗的来源主要有两个方面(1)静态功耗,即反向漏电流造成的功耗;(2)动态功耗,由电路作开关转换时进入过渡区由峰值电流引起的暂态功耗,以及负载电容和芯片内寄生电容的充放电电流引起的功耗。SRAM的功耗包括动态功耗(数据读写时的功耗)和静态功耗(数据保持时的功耗)。图1 给出了一个用来分析SRAM功耗来源的结构模型,在这个模型中,将SRAM的功耗来源分成三部分:存储阵列、行(列)译...
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