IC,LOGIC GATE,QUAD 2-INPUT XOR,LVQ-CMOS,DIP,14PIN,CERAMIC
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | National Semiconductor（TI ） |
| 包装说明 | DIP, DIP14,.3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| JESD-30 代码 | R-XDIP-T14 |
| 负载电容（CL） | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | XOR GATE |
| 最大I（ol） | 0.012 A |
| 端子数量 | 14 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP14,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 包装方法 | TUBE |
| 电源 | 3.3 V |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 14 ns |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 施密特触发器 | NO |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| Base Number Matches | 1 |
| 54LVQ86DMQB | |
|---|---|
| 描述 | IC,LOGIC GATE,QUAD 2-INPUT XOR,LVQ-CMOS,DIP,14PIN,CERAMIC |
| 厂商名称 | National Semiconductor（TI ） |
| 包装说明 | DIP, DIP14,.3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| JESD-30 代码 | R-XDIP-T14 |
| 负载电容（CL） | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | XOR GATE |
| 最大I（ol） | 0.012 A |
| 端子数量 | 14 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP14,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 包装方法 | TUBE |
| 电源 | 3.3 V |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 14 ns |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 施密特触发器 | NO |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| Base Number Matches | 1 |
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