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HB56A19B-12

产品描述DRAM Module, 1MX9, 120ns, CMOS, SIMM-30
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文件大小202KB,共7页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HB56A19B-12概述

DRAM Module, 1MX9, 120ns, CMOS, SIMM-30

HB56A19B-12规格参数

参数名称属性值
厂商名称Hitachi (Renesas )
零件包装代码SIMM
包装说明SIMM, SIM30
针数30
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式PAGE
最长访问时间120 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XSMA-N30
内存密度9437184 bit
内存集成电路类型DRAM MODULE
内存宽度9
功能数量1
端口数量1
端子数量30
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX9
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码SIMM
封装等效代码SIM30
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期1024
座面最大高度20.447 mm
最大待机电流0.009 A
最大压摆率0.45 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距2.54 mm
端子位置SINGLE
Base Number Matches1

HB56A19B-12相似产品对比

HB56A19B-12 HB56A19A-12 HB56A19A-10 HB56A19B-10 HB56A19A-15 HB56A19B-15
描述 DRAM Module, 1MX9, 120ns, CMOS, SIMM-30 DRAM Module, 1MX9, 120ns, CMOS, SIMM-30 DRAM Module, 1MX9, 100ns, CMOS, SIMM-30 DRAM Module, 1MX9, 100ns, CMOS, SIMM-30 DRAM Module, 1MX9, 150ns, CMOS, SIMM-30 DRAM Module, 1MX9, 150ns, CMOS, SIMM-30
厂商名称 Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas )
零件包装代码 SIMM SIMM SIMM SIMM SIMM SIMM
包装说明 SIMM, SIM30 , SIP30,.2 , SIP30,.2 SIMM, SIM30 , SIP30,.2 SIMM, SIM30
针数 30 30 30 30 30 30
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 PAGE PAGE PAGE PAGE PAGE PAGE
最长访问时间 120 ns 120 ns 100 ns 100 ns 150 ns 150 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XSMA-N30 R-XSMA-T30 R-XSMA-T30 R-XSMA-N30 R-XSMA-T30 R-XSMA-N30
内存密度 9437184 bit 9437184 bit 9437184 bit 9437184 bit 9437184 bit 9437184 bi
内存集成电路类型 DRAM MODULE DRAM MODULE DRAM MODULE DRAM MODULE DRAM MODULE DRAM MODULE
内存宽度 9 9 9 9 9 9
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 30 30 30 30 30 30
字数 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 1MX9 1MX9 1MX9 1MX9 1MX9 1MX9
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装等效代码 SIM30 SIP30,.2 SIP30,.2 SIM30 SIP30,.2 SIM30
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 1024 1024 1024 1024 1024 1024
座面最大高度 20.447 mm 20.574 mm 20.574 mm 20.447 mm 20.574 mm 20.447 mm
最大待机电流 0.009 A 0.009 A 0.009 A 0.009 A 0.009 A 0.009 A
最大压摆率 0.45 mA 0.45 mA 0.54 mA 0.54 mA 0.36 mA 0.36 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE NO LEAD THROUGH-HOLE NO LEAD
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE

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