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PRA100I4-1K52DLBT31

产品描述Array/Network Resistor, Isolated, Thin Film, 0.1W, 1520ohm, 50V, 0.5% +/-Tol, -10,10ppm/Cel, 1606,
产品类别无源元件    电阻器   
文件大小80KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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PRA100I4-1K52DLBT31概述

Array/Network Resistor, Isolated, Thin Film, 0.1W, 1520ohm, 50V, 0.5% +/-Tol, -10,10ppm/Cel, 1606,

PRA100I4-1K52DLBT31规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid981821122
包装说明SMT, 1606
Reach Compliance Codecompliant
Country Of OriginFrance
ECCN代码EAR99
YTEOL4.88
构造Chip
JESD-609代码e0
网络类型Isolated
端子数量8
最高工作温度155 °C
最低工作温度-55 °C
封装高度0.4 mm
封装长度4 mm
封装形式SMT
封装宽度1.6 mm
包装方法TR
额定功率耗散 (P)0.1 W
电阻1520 Ω
电阻器类型ARRAY/NETWORK RESISTOR
系列PRA (CNW)
尺寸代码1606
技术THIN FILM
温度系数10 ppm/°C
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb) - with Nickel (Ni) barrier
容差0.5%
工作电压50 V

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PRA 100, 135, 182 (CNW)
Vishay Sfernice
High Precision Resistor Chip Arrays
FEATURES
High stability passivated nichrome resistive
layer 0.02 % on ratio, 1000 h at Pn at + 70 °C
Tight TCR (10 ppm/°C) and TCR tracking
(to 1 ppm/°C)
Very low noise < 35 dB and voltage coefficient
< 0.01 ppm/V
Ratio tolerance to 0.01 % (R
200R)
Pre-tinned terminations over nickel barrier
High temperature option (200 °C)
SMD wraparound chip resistor array
Compliant to RoHS directive 2002/95/EC
PRA arrays can be used in most applications requiring a
matched pair (or set) of resistor elements. The networks
provide 1 ppm/°C TCR tracking, a ratio tolerance as tight as
0.01 % and outstanding stability. They are available in 1 mm,
1.35 mm and 1.82 mm pitch.
TYPICAL PERFORMANCE
ABS
TCR
TOL
10 ppm/°C
ABS
0.1 %
TRACKING
2 ppm/°C
RATIO
0.05 %
DIMENSIONS
Suggested Land Pattern
R
S
R
P
Q
F
A
I: Independent resistors
E
Termination
Electrical diagram
R1
R2
R7
R8
DIM.
A
B
C
D
E
(1)
F
G
P
Q
R
S
PRA 100
mm
1.6
0.4
0.65
+ 0.2
- 0.1
+ 0.2
- 0.2
+ 0.15
- 0.15
PRA 135
mil
63
16
mm
1.85
0.4
1.05
+ 0.2
- 0.1
+ 0.2
- 0.2
+ 0.15
- 0.15
PRA 182
mil
72
16
41
10
mm
3.0
0.4
1.3
+ 0.2
- 0.1
+ 0.2
- 0.2
+ 0.35
- 0.15
B
D
C
F
G
mil
118
16
51
10
Number
of resistors:
2 to
8
R1 = R2 = ... R8
25.5
10
0.25
0.25
0.25
E = (N x F) ± 0.2 mm
1
0.4
+ 0.1
-0
E = (N x F) ± 8 mil
53.1
15
41.3
12
40
31.5
1.82
0.4
+ 0.1
-0
C: One common point
N
resistors
R1
E
40
15
27.5
12
40
23.5
1.35
0.4
+ 0.1
-0
72
15
59.8
12
40
70.8
B
C
D
A
R2
R7
R8
0.7
0.3
1
0.6
1.05
0.3
1
0.8
1.52
0.3
1
1.8
F
G
Note
(1)
E depends on number of resistors
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply
** Please see document “Vishay Material Category Policy”:
www.vishay.com/doc?99902
www.vishay.com
66
For technical questions, contact:
sfer@vishay.com
Number
of resistors:
2 to
8
R1 = R2 = ... R8
Document Number: 53033
Revision: 17-Aug-09
NAND FLASH扇区变少的问题。。。
03 0B 01 00 21 30 20 00 60 01 00 00 C0 84 00 00 01 31 01 00 0B EB 20 00 20 86 00 00 60 77 01 00 根据我的这个扇区表,看扇区数:0x160 + 0x84C0 + 0x17760 = 0x1 ......
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