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MT45W2MW16PGA-70 WT TR: 产品描述IC psram 32mbit 70ns 48vfbga; 产品类别存储; 文件大小732KB，共26页; 制造商Micron(美光); 官网地址http://www.micron.com/; 标准

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MT45W2MW16PGA-70 WT TR概述

IC psram 32mbit 70ns 48vfbga

MT45W2MW16PGA-70 WT TR规格参数

参数名称	属性值
Datasheets
MT45W2MW16PGA
Product Photos
48 VFBGA Package
Standard Package	1,000
Category	Integrated Circuits (ICs)
Family	Memory
系列 Packaging	Tape & Reel (TR)
Format - Memory	RAM
Memory Type	PSRAM (Page)
Memory Size	32M (2M x 16)
速度 Speed	70ns
Interface	Parallel
Voltage - Supply	1.7 V ~ 1.95 V
Operating Temperature	-30°C ~ 85°C
封装 / 箱体 Package / Case	48-VFBGA
Supplier Device Package	48-VFBGA (6x8)
Other Names	557-1316-2

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32Mb: 2 Meg x 16 Async/Page CellularRAM 1.0 Memory

Features

Async/Page CellularRAM™ 1.0 Memory

MT45W2MW16PGA

Features

• Asynchronous and page mode interface

• Random access time: 70ns

• V

, V

Q voltages:

–

1.7–1.95V V

–

1.7–3.6V V

• Page mode read access:

–

16-word page size

–

Interpage read access: 70ns

–

Intrapage read access: 20ns

• Low power consumption:

–

Asynchronous READ: <20mA

–

Intrapage READ: <15mA

–

Standby: <110µA

–

Deep power-down: <10µA (TYP at 25°C)

• Low-power features:

–

Temperature-compensated refresh (TCR)

–

On-chip temperature sensor

–

Partial-array refresh (PAR)

–

Deep power-down (DPD) mode

Figure 1:

48-Ball VFBGA Ball Assignment

LB#

OE#

ZZ#

DQ8

UB#

CE#

DQ0

DQ9

DQ10

DQ1

DQ2

VssQ

DQ11

A17

DQ3

Vcc

VccQ

DQ12

A16

DQ4

Vss

DQ14

DQ13

A14

A15

DQ5

DQ6

DQ15

A19

A12

A13

WE#

DQ7

A18

A10

A11

A20

Options

Designator

• Configuration

• 2 Meg x 16

MT45W2MW16P

• Package

• 48-ball VFBGA (green)

• Access time

• 70ns

–70

• Operating temperature range

• Wireless (–30°C to +85°C)

• Industrial (–40°C to +85°C)

Notes: 1. –30°C exceeds the CellularRAM Workgroup

1.0 specification of –25°C.

Top View

(Ball Down)

Part Number Example:

MT45W2MW16PGA-70WT

PDF: 09005aef82832fa7 / Source: 09005aef82832f97

32mb_asyncpage_cr1_0_p24z_1.fm - Rev. B 5/07 EN

Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.

Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.

32Mb: 2 Meg x 16 Async/Page CellularRAM 1.0 Memory

Table of Contents

Features . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1

Options . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1

General Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5

Functional Block Diagram. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5

Ball Descriptions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .6

Bus Operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .7

Part-Numbering Information. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .8

Valid Part Number Combinations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .8

Device Marking . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .8

Functional Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .9

Power-Up Initialization . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .9

Bus Operating Modes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .9

Asynchronous Mode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .9

Page Mode READ Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .11

LB#/UB# Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .11

Low-Power Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .12

Standby Mode Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .12

Temperature-Compensated Refresh . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .12

Partial-Array Refresh . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .12

Deep Power-Down Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .13

Configuration Register Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .14

Access Using ZZ# . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .14

Software Access to the Configuration Register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .14

Electrical Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .17

Maximum and Typical Standby Currents . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .18

Timing Diagrams. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .22

Package Dimensions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .26

PDF: 09005aef82832fa7 / Source: 09005aef82832f97

32mb_asyncpage_cr1_0_p24zTOC.fm - Rev. B 5/07 EN

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32Mb: 2 Meg x 16 Async/Page CellularRAM 1.0 Memory

List of Figures

Figure 1:

Figure 2:

Figure 3:

Figure 4:

Figure 5:

Figure 6:

Figure 7:

Figure 8:

Figure 9:

Figure 10:

Figure 11:

Figure 12:

Figure 13:

Figure 14:

Figure 15:

Figure 16:

Figure 17:

Figure 18:

Figure 19:

Figure 20:

Figure 21:

Figure 22:

Figure 23:

Figure 24:

48-Ball VFBGA Ball Assignment. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1

Functional Block Diagram 2 Meg x 16 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5

Part Number Chart . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .8

Power-Up Initialization Timing. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .9

READ Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .10

WRITE Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .10

Page READ Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .11

Software Access PAR Functionality. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .13

Load Configuration Register Operation. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .14

Software Access Load Configuration Register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15

Software Access Read Configuration Register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15

Configuration Register Bit Mapping. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .16

Typical Refresh Current vs. Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .19

AC Input/Output Reference Waveform . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .19

Output Load Circuit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .20

Power-Up Initialization Period . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .22

Load Configuration Register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .22

Deep Power-Down Entry and Exit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .22

Single READ Operation (WE# = V

). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .23

Page Mode READ Operation (WE# = V

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .23

WRITE Cycle (WE# Control) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .24

WRITE Cycle (CE# Control) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .24

WRITE Cycle (LB#/UB# Control). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .25

48-Ball VFBGA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .26

PDF: 09005aef82832fa7 / Source: 09005aef82832f97

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32Mb: 2 Meg x 16 Async/Page CellularRAM 1.0 Memory

List of Tables

Table 1:

Table 2:

Table 3:

Table 4:

Table 5:

Table 6:

Table 7:

Table 8:

Table 9:

Table 10:

Table 11:

Table 12:

Table 13:

VFBGA Ball Descriptions. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .6

Bus Operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .7

32Mb Address Patterns for PAR (CR[4] = 1). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .17

Absolute Maximum Ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .17

Electrical Characteristics and Operating Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .18

Partial-Array Refresh Specifications and Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .18

Deep Power-Down Specifications and Conditions. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .19

Capacitance Specifications and Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .19

READ Cycle Timing Requirements . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .20

WRITE Cycle Timing Requirements . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .21

Load Configuration Register Timing Requirements . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .21

Deep Power-Down Timing Requirements . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .21

Initialization Timing Parameters . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .22

PDF: 09005aef82832fa7 / Source: 09005aef82832f97

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32Mb: 2 Meg x 16 Async/Page CellularRAM 1.0 Memory

General Description

Micron

CellularRAM™ products are high-speed, CMOS PSRAM memories developed

for low-power, portable applications. The MT45W2MW16P is a 32Mb DRAM core device

organized as 2 Meg x 16 bits. These devices include the industry-standard, asynchronous

memory interface found on other low-power SRAM or pseudo-SRAM offerings.

A user-accessible configuration register (CR) defines how the CellularRAM device

performs on-chip refresh and whether page mode read accesses are permitted. This

updated at any time during normal operation.

For seamless operation on an asynchronous memory bus, CellularRAM products incor-

porate a transparent self-refresh mechanism. The hidden refresh requires no additional

support from the system memory controller and has no significant impact on device

read/write performance.

Special attention has been focused on current consumption during self refresh. Cellu-

larRAM products include three system-accessible mechanisms to minimize refresh

current. Temperature-compensated refresh (TCR) uses an on-chip sensor to adjust the

refresh rate to match the device temperature. The refresh rate decreases at lower

temperatures to minimize current consumption during standby. Setting sleep enable

(ZZ#) to LOW enables one of two low-power modes: partial-array refresh (PAR) or deep

power-down (DPD). PAR limits refresh to only that part of the DRAM array that contains

essential data. DPD halts refresh operation altogether and is used when no vital infor-

mation is stored in the device. The system-configurable refresh mechanisms are

accessed through the CR.

Functional Block Diagram

Figure 2:

Functional Block Diagram 2 Meg x 16

A[20:0]

Address Decode

Logic

2,048K x 16

DRAM

Memory

Array

Configuration

Input/

Output

MUX

and

Buffers

DQ[7:0]

DQ[15:8]

CE#

WE#

OE#

UB#

LB#

ZZ#

Control

Logic

Note:

Functional block diagrams illustrate simplified device operation. See ball description table,

bus operations table, and timing diagrams for detailed information.

PDF: 09005aef82832fa7 / Source: 09005aef82832f97

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MT45W2MW16PGA-70 WT TR相似产品对比

	MT45W2MW16PGA-70 WT TR	MT45W2MW16PGA-70 IT	MT45W2MW16PGA-70 IT TR
描述	IC psram 32mbit 70ns 48vfbga	IC psram 32mbit 70ns 48vfbga	IC psram 32mbit 70ns 48vfbga
Standard Package	1,000	1,000	1,000
Category	Integrated Circuits (ICs)	Integrated Circuits (ICs)	Integrated Circuits (ICs)
Family	Memory	Memory	Memory
系列 Packaging	Tape & Reel (TR)	Tray	Tape & Reel (TR)
Format - Memory	RAM	RAM	RAM
Memory Type	PSRAM (Page)	PSRAM (Page)	PSRAM (Page)
Memory Size	32M (2M x 16)	32M (2M x 16)	32M (2M x 16)
速度 Speed	70ns	70ns	70ns
Interface	Parallel	Parallel	Parallel
Voltage - Supply	1.7 V ~ 1.95 V	1.7 V ~ 1.95 V	1.7 V ~ 1.95 V
Operating Temperature	-30°C ~ 85°C	-40°C ~ 85°C	-40°C ~ 85°C
封装 / 箱体 Package / Case	48-VFBGA	48-VFBGA	48-VFBGA
Supplier Device Package	48-VFBGA (6x8)	48-VFBGA (6x8)	48-VFBGA (6x8)
Other Names	557-1316-2	-	557-1317-2MT45W2MW16PGA70ITTR

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STM32F765@216MHz刷STemWin的Demo【代码】【视频】: 本帖最后由 Kεnny 于 2019-2-22 10:13 编辑本文public自《STM32F765@216MHz输出I2S试验ES9023P音频听感》链接(https://bbs.eeworld.com.cn/thread-1069926-1-1.html) 作者的 ......; Kεnny stm32/stm8

巨变前夜攻守之间新能源汽车谁执牛耳

　　“简直不可思议!”在4月25日开幕的北京车展上，一位券商分析师和记者一起挤在“造车新势力”拜腾汽车火爆的发布会现场，体会着一款新能源车内置的49寸超大屏幕带来的视觉震撼。北京车展历来被视作各大整车厂展示未来路线的竞技场。在今年的车展上，共展出新能源车型174种，其中自主品牌新能源车型124种，新能源汽车成为当之无愧的主角。下面就随汽车电子小编一起来了解一下相关内容吧。　　由于双积分政策...[详细]
中芯创始人张汝京操刀芯恩集成,与青岛大学携手解决人才荒

美国封杀中兴引发大家激烈探讨“缺芯少魂”的议题，日前DT君提出关键在中国集成电路行业发展18年来，仍是面临严重人才荒的方向，引发行业内广大回响，根据DT君了解，素有”中国半导体之父“之称的中芯国际创办人张汝京日前第三次创业，首次将协同式IDM项目落地成立芯恩集成电路，除了集结前中芯近10位离职副总担任“老师傅”角色，更将与青岛大学合办“微纳科技技术学院”，积极栽培大学本科学生，为中国集成电路产业...[详细]
艾迈斯推出血压与生命体征传感器参考设计

中国， 2018年4月26日，全球领先的高性能传感器解决方案供应商艾迈斯半导体（ams AG，瑞士股票交易所股票代码：AMS）今天宣布推出首款基于AS7024的集成式生命体征传感器参考设计。该解决方案可以实现全天候精确、快速且便利的无袖带式血压测量。基于AS7024的新型生命体征传感器参考设计集成了包括AS7024的所有硬件组件，以及执行血压测量、心率测量(HRM)、心率变异性(HRV)...[详细]
Q1中国智能手机市场重挫21%：苹果跌出前四,市场进一步集中

市场调研机构Canalys最新报告指出，2018年第一季度中国大陆的智能手机销售创下最大降幅。第一季度智能手机出货年率下降21%至9100万支，前十名厂商中，有八家销售出现下降。苹果的第四名地位遭到本土品牌小米取代。小米出货成长 37% 至 1200 万支，创下最大成长幅度。根据 Canalys 数据显示，2017 年第四季，苹果销售量犹小幅领先小米。冠军华为（包含华为荣耀）出货成长...[详细]
未来五年全球光伏逆变器市场将呈现负增长

根据GlobalData的数据，由于价格下跌，全球光伏逆变器市场将从2017年的63亿美元缩减至2022年的37亿美元。　　2022年全球光伏逆变器市场价值将缩减至37亿美元　　根据市值，从2017年到2022年，市场将呈现10.15%的负年复合增长率。同时，2018-2022年的总装机容量将接近370.6吉瓦，高于2012年至2017年的316.2吉瓦。　　“各种原因包括但不限...[详细]
自平衡MIP机器人已准备就绪

Ben Coxworth Self-balancing P robot is rey to roll MiP balances on two wheels， using the mobile inverted pendulum principle Image Gallery （2 images） You may never be able to afford your own ...[详细]
“汽车电子产业联盟”正式宣布成立联想集团受邀参加

近日，由中国电子信息产业发展研究院（简称赛迪研究院）与60多家产业链知名企业共同发起的“汽车电子产业联盟”正式宣布成立！工信部电子信息司副司长乔跃山、中国电子信息产业发展研究院副院长黄子河等领导出席大会，联想集团受邀参加并担任联盟副理事长单位。作为联盟骨干成员，联想将紧密联合汽车产业链上下游成员企业，共同推动大数据与人工智能在汽车行业的深度融合与应用，将数据转化为直接生产力，打造开放、和谐...[详细]
应用多元物联网LPWAN走向双模设计

物联网对于低功耗的需求向来旺盛，由于物联网产品传输的数据量无须大量，但须能定时传递，所以低耗能相当重要，因而促使低功耗广域网技术(LPWAN)的诞生，有趣的是，一般人提到诸如NB-IoT、LoRa与Sigfox等LPWAN技术，皆会直觉认定它们只存在着竞争关系;对此意法半导体产品营销经理杨正廉表示，现在已有厂商采取「双模式」做法。杨正廉以LoRa与Sigfox为例指出，这两大技术的应用...[详细]
闻库：2018年三大运营商有望再增加30万个NB-IoT基站

　　在昨天上午举行的“2018年一季度工业通信业的发展发布会”上，工信部信息通信发展司司长闻库介绍：“目前全国全网近40万个 NB-IoT 的基站的建设逐步实现了全国范围内的广泛覆盖。今年看，三家基础电信运营企业有望再增加30万个基站。”下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。闻库：2018年三大运营商有望再增加30万个NB-IoT基站　　去年为了推动 NB-IoT 窄带物联...[详细]
马斯克承认过度自动化是错误：人类有时胜过机器

北京时间14日消息，特斯拉汽车公司创始人兼CEO马斯克一直大力推动汽车生产的自动化，但随着Model 3车型生产的不断滞后，他现在不得不承认，有时候人还是胜过机器的。马斯克当地时间周五发布推特称，“特斯拉工厂的过度自动化是个错误。确切地说，是我的错误。人类被低估了。” 特斯拉一直未能完成Model 3车型的生产目标。Model 3是特斯拉尝试大规模量产的首款车型，最终售价将降低至3.5万美元...[详细]
机器心理学家：未来唯一不会被AI取代的职业

《我，机器人》是美国著名科幻作家艾萨克·阿西莫夫一生中最重要的一部中短篇科幻小说集。小说集描绘了机器人的智能水平在经历了一步步发展之后，最终“挺立于人类与毁灭之间”。更重要的是，小说中不但有机器人，还有“机器人心理学家”苏珊·凯文。在实际工作中，机器人会出现各种各样的意外状况——这也是“机器人心理学家”的职责所在：有趣的是，她要做的并非排除“机器故障”，而是要理解和解决机器人的“心理问题”。...[详细]
传MTK夺思科ASIC大单，董事会新增晨星董事长或为合并热身

原标题：传联发科夺思科ASIC大单，董事会新增晨星董事长或为合并热身日前联发科非手机产品布局传喜讯，旗下定制芯片（ASIC）传拿下全球网通设备龙头思科（Cisco）最新基站设备订单，明年出货，相关芯片更为高端，有利提升产品均价（ASP），为营运增添动能。联发科主力产品为智能机芯片、电视芯片、多媒体芯片等，但多数步入成长高原期，因此这几年积极寻求跨入难度较高的定制芯片，今年也从博通手中...[详细]
AMD一季度营收同比增长40％，计算和图形业务暴涨95％

周三AMD公布了好于预期的财报，公司股价上涨10％。财报显示，AMD第一财季营收16.5亿美元，市场预期15.7亿美元。此外，AMD的前瞻也同样好于预期。该公司预计，二季度收入为17.2亿美元（16.7亿美元-17.7亿美元），分析师预期为15.8亿美元。AMD预计，第二财季毛利润将增长大约37%，市场预期增长36.2%。 AMD表示，第一季度收入同比增长40％。公司的计算和图形业务部...[详细]
特斯拉开始收集Model 3视频为完善自动驾驶数据

据报道，许多汽车制造商目前正处于把自动驾驶汽车推向市场的竞赛当中，业内人士预计数据将成为最终实现完全自动驾驶系统的重要组成部分。据悉，自动驾驶系统比人类驾驶更为安全。尽管许多开发这一技术的公司都局限于测试车队来收集数据，但特斯拉的优势在于，它拥有庞大的车队，这些汽车每天都能在世界各地行驶，并且都安装有许多传感器。现在，特斯拉的车队因为Model 3的推出而变得越来越大，特斯拉开...[详细]
曾与华为中兴齐名，现濒临退市的大唐电信还能抢救一下吗？

　　上周一、美国商务部发布了对中兴通讯出口限制的禁令。下面就随手机便携小编一起来了解一下相关内容吧。　　有人说这是对国内通信行业巨大的打击，也有人说这是中国“芯”崛起的好机会，一时间各大门户、自媒体平台、用户评论都在为我国的集成电路产业发展献言献策。　　经过一个周末的降温，舆论的热度渐渐褪去，中兴通讯的态度也发生了转变，从刚开始拒绝执行禁令的强硬态度，到今天的严格遵循禁令规则，其中发生了什...[详细]

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