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3SK180-6

产品描述RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, CP4, 4 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小194KB,共5页
制造商SANYO
官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html
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3SK180-6概述

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, CP4, 4 PIN

3SK180-6规格参数

参数名称属性值
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数4
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压15 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.03 A
最大漏极电流 (ID)0.03 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)0.05 pF
最高频带VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G4
元件数量1
端子数量4
工作模式DUAL GATE, DEPLETION MODE
最高工作温度125 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.2 W
最小功率增益 (Gp)22 dB
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

3SK180-6相似产品对比

3SK180-6 3SK180-4 3SK180-5
描述 RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, CP4, 4 PIN RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, CP4, 4 PIN RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, CP4, 4 PIN
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数 4 4 4
Reach Compliance Code unknow unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 SOURCE SOURCE SOURCE
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 15 V 15 V 15 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 0.03 A 0.03 A 0.03 A
最大漏极电流 (ID) 0.03 A 0.03 A 0.03 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 0.05 pF 0.05 pF 0.05 pF
最高频带 VERY HIGH FREQUENCY BAND VERY HIGH FREQUENCY BAND VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4
元件数量 1 1 1
端子数量 4 4 4
工作模式 DUAL GATE, DEPLETION MODE DUAL GATE, DEPLETION MODE DUAL GATE, DEPLETION MODE
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 0.2 W 0.2 W 0.2 W
最小功率增益 (Gp) 22 dB 22 dB 22 dB
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1 1

 
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