IC flash 1mbit 90ns 44plcc
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
零件包装代码 | LPCC |
包装说明 | QCCJ, LDCC44,.7SQ |
针数 | 44 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | EAR99 |
最长访问时间 | 90 ns |
启动块 | BOTTOM |
命令用户界面 | YES |
数据轮询 | YES |
JESD-30 代码 | S-PQCC-J44 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 16.5862 mm |
内存密度 | 1048576 bi |
内存集成电路类型 | FLASH |
内存宽度 | 16 |
湿度敏感等级 | 2 |
功能数量 | 1 |
部门数/规模 | 1,1 |
端子数量 | 44 |
字数 | 65536 words |
字数代码 | 64000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 64KX16 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | QCCJ |
封装等效代码 | LDCC44,.7SQ |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | CHIP CARRIER |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 225 |
电源 | 3.3 V |
编程电压 | 3 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 4.57 mm |
部门规模 | 8K,56K |
最大待机电流 | 0.00004 A |
最大压摆率 | 0.04 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | J BEND |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
切换位 | YES |
类型 | NOR TYPE |
宽度 | 16.5862 mm |
Base Number Matches | 1 |
AT49LV1025-90JC | AT49LV1024-90VI | AT49LV1024-70VC | AT49LV1024-90VC | |
---|---|---|---|---|
描述 | IC flash 1mbit 90ns 44plcc | IC flash 1mbit 90ns 40vsop | IC flash 1mbit 70ns 40vsop | IC flash 1mbit 90ns 40vsop |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
零件包装代码 | LPCC | SOIC | SOIC | SOIC |
包装说明 | QCCJ, LDCC44,.7SQ | TSOP1, TSSOP40,.56,20 | TSOP1, TSSOP40,.56,20 | TSOP1, TSSOP40,.56,20 |
针数 | 44 | 40 | 40 | 40 |
Reach Compliance Code | unknow | compli | compliant | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
最长访问时间 | 90 ns | 90 ns | 70 ns | 90 ns |
启动块 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
命令用户界面 | YES | YES | YES | YES |
数据轮询 | YES | YES | YES | YES |
JESD-30 代码 | S-PQCC-J44 | R-PDSO-G40 | R-PDSO-G40 | R-PDSO-G40 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
长度 | 16.5862 mm | 12.4 mm | 12.4 mm | 12.4 mm |
内存密度 | 1048576 bi | 1048576 bi | 1048576 bit | 1048576 bit |
内存集成电路类型 | FLASH | FLASH | FLASH | FLASH |
内存宽度 | 16 | 16 | 16 | 16 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
部门数/规模 | 1,1 | 1,1 | 1,1 | 1,1 |
端子数量 | 44 | 40 | 40 | 40 |
字数 | 65536 words | 65536 words | 65536 words | 65536 words |
字数代码 | 64000 | 64000 | 64000 | 64000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C | 85 °C | 70 °C | 70 °C |
组织 | 64KX16 | 64KX16 | 64KX16 | 64KX16 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | QCCJ | TSOP1 | TSOP1 | TSOP1 |
封装等效代码 | LDCC44,.7SQ | TSSOP40,.56,20 | TSSOP40,.56,20 | TSSOP40,.56,20 |
封装形状 | SQUARE | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | CHIP CARRIER | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 225 | 240 | 240 | NOT SPECIFIED |
电源 | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
编程电压 | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 4.57 mm | 1.2 mm | 1.2 mm | 1.2 mm |
部门规模 | 8K,56K | 8K,56K | 8K,56K | 8K,56K |
最大待机电流 | 0.00004 A | 0.00013 A | 0.00004 A | 0.00004 A |
最大压摆率 | 0.04 mA | 0.04 mA | 0.04 mA | 0.04 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
表面贴装 | YES | YES | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL | INDUSTRIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | J BEND | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
端子节距 | 1.27 mm | 0.5 mm | 0.5 mm | 0.5 mm |
端子位置 | QUAD | DUAL | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | 30 | 30 | NOT SPECIFIED |
切换位 | YES | YES | YES | YES |
类型 | NOR TYPE | NOR TYPE | NOR TYPE | NOR TYPE |
宽度 | 16.5862 mm | 10 mm | 10 mm | 10 mm |
厂商名称 | - | Atmel (Microchip) | Atmel (Microchip) | Atmel (Microchip) |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved