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2N2156

产品描述Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Germanium, TO-36, Metal, 2 Pin, TO-36, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小74KB,共1页
制造商GPD Optoelectronics Corp
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2N2156概述

Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Germanium, TO-36, Metal, 2 Pin, TO-36, 3 PIN

2N2156规格参数

参数名称属性值
零件包装代码TO-36
包装说明POST/STUD MOUNT, O-MBPM-D2
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)30 A
集电极-发射极最大电压30 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
JEDEC-95代码TO-36
JESD-30 代码O-MBPM-D2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度110 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)170 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式SOLDER LUG
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料GERMANIUM
标称过渡频率 (fT)0.002 MHz
Base Number Matches1
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