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BYT13-1000RL

产品描述3A, 1000V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小76KB,共4页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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BYT13-1000RL概述

3A, 1000V, SILICON, RECTIFIER DIODE

BYT13-1000RL规格参数

参数名称属性值
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性SNUBBER DIODE
应用FAST SOFT RECOVERY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.3 V
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流100 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大功率耗散3.75 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压1000 V
最大反向电流20 µA
最大反向恢复时间0.15 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

BYT13-1000RL相似产品对比

BYT13-1000RL BYT13-600RL BYT13-800RL
描述 3A, 1000V, SILICON, RECTIFIER DIODE 3A, 600V, SILICON, RECTIFIER DIODE 3A, 800V, SILICON, RECTIFIER DIODE
包装说明 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
Reach Compliance Code unknow unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 SNUBBER DIODE SNUBBER DIODE SNUBBER DIODE
应用 FAST SOFT RECOVERY FAST SOFT RECOVERY FAST SOFT RECOVERY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.3 V 1.3 V 1.3 V
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流 100 A 100 A 100 A
元件数量 1 1 1
相数 1 1 1
端子数量 2 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C
最大输出电流 3 A 3 A 3 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM
最大功率耗散 3.75 W 3.75 W 3.75 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 1000 V 600 V 800 V
最大反向电流 20 µA 20 µA 20 µA
最大反向恢复时间 0.15 µs 0.15 µs 0.15 µs
表面贴装 NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL
厂商名称 - ST(意法半导体) ST(意法半导体)
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