IDT70V9349L6PFG8,IDT70V9349L6PFG8 pdf中文资料,IDT70V9349L6PFG8引脚图,IDT70V9349L6PFG8电路-Datasheet-电子工程世界

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IDT70V9349L6PFG8: 产品描述Dual-Port SRAM, 4KX18, 15ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100; 产品类别存储存储; 文件大小306KB，共16页; 制造商IDT (Integrated Device Technology); 标准

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IDT70V9349L6PFG8概述

Dual-Port SRAM, 4KX18, 15ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100

IDT70V9349L6PFG8规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	QFP
包装说明	TQFP-100
针数	100
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	15 ns
其他特性	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码	S-PQFP-G100
JESD-609代码	e3
长度	14 mm
内存密度	73728 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	18
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	100
字数	4096 words
字数代码	4000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	4KX18
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFQFP
封装形状	SQUARE
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	MATTE TIN
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	14 mm
Base Number Matches	1

IDT70V9349L6PFG8相似产品对比

	IDT70V9349L6PFG8	IDT70V9349L9PFG8	IDT70V9349L7PFGI8	IDT70V9349L7PFG8	IDT70V9359L9PFG8
描述	Dual-Port SRAM, 4KX18, 15ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100	Dual-Port SRAM, 4KX18, 20ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100	Dual-Port SRAM, 4KX18, 18ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100	Dual-Port SRAM, 4KX18, 18ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100	Dual-Port SRAM, 8KX18, 20ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP
包装说明	TQFP-100	TQFP-100	TQFP-100	TQFP-100	LFQFP,
针数	100	100	100	100	100
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	15 ns	20 ns	18 ns	18 ns	20 ns
其他特性	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码	S-PQFP-G100	S-PQFP-G100	S-PQFP-G100	S-PQFP-G100	S-PQFP-G100
JESD-609代码	e3	e3	e3	e3	e3
长度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm
内存密度	73728 bit	73728 bit	73728 bit	73728 bit	147456 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	18	18	18	18	18
湿度敏感等级	3	3	3	3	3
功能数量	1	1	1	1	1
端子数量	100	100	100	100	100
字数	4096 words	4096 words	4096 words	4096 words	8192 words
字数代码	4000	4000	4000	4000	8000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	85 °C	70 °C	70 °C
组织	4KX18	4KX18	4KX18	4KX18	8KX18
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFQFP	LFQFP	LFQFP	LFQFP	LFQFP
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN	Matte Tin (Sn)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm
端子位置	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30	30	30
宽度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm

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