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IPG20N04S4-08

产品描述20A, 40V, 0.0076ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小839KB,共10页
制造商Rochester Electronics
官网地址https://www.rocelec.com/
标准  
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IPG20N04S4-08在线购买

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IPG20N04S4-08概述

20A, 40V, 0.0076ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8

IPG20N04S4-08规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
Objectid1379997471
包装说明GREEN, PLASTIC, TDSON-8
针数8
Reach Compliance Codeunknown
雪崩能效等级(Eas)230 mJ
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压40 V
最大漏极电流 (ID)20 A
最大漏源导通电阻0.0076 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-F8
湿度敏感等级NOT SPECIFIED
元件数量2
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)80 A
认证状态COMMERCIAL
表面贴装YES
端子面层NOT SPECIFIED
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
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