Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> CN5B

文档预览

CN5B: 产品描述CELL RECTIFIER DIODES; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小17KB，共2页; 制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]; 标准

下载文档详细参数选型对比全文预览

CN5B概述

CELL RECTIFIER DIODES

CN5B规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
配置	SINGLE
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.1 V
最大非重复峰值正向电流	250 A
元件数量	1
最高工作温度	175 °C
最大输出电流	5 A
最大重复峰值反向电压	100 V
表面贴装	YES
Base Number Matches	1

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

CN5A - CN5M

PRV : 50 - 1000 Volts

Io : 5.0 Amperes

FEATURES :

High current capability

High surge current capability

High reliability

Low reverse current

Low forward voltage drop

Chip form

CELL RECTIFIER DIODES

C5A

4.82

3.94

Anode

1.25

Cathode

0.51

MECHANICAL DATA :

* Case : C5A

* Terminals : Solderable per MIL-STD-202,

Method 208 guaranteed

* Polarity : Cathode to bigger size slug, For

Anode to bigger size slug use "R" suffix.

* Mounting position : Any

* Weight : 0.22 gram

Dimensions in millimeter

0.38

Rating at 25

C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

RATING

Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

Maximum DC Blocking Voltage

Maximum Average Forward Current Tc = 75°C

Peak Forward Surge Current Single half sine wave

superimposed on rated load (JEDEC Method)

Maximum Forward Voltage at I

= 5 Amps.

Maximum DC Reverse Current

at rated DC Blocking Voltage

Ta = 25

°C

Ta = 100

°C

SYMBOL

CN5A

RRM

RMS

F(AV)

CN5B

100

CN5D

200

140

200

CN5G

400

280

400

5.0

CN5J

600

420

600

CN5K

800

560

800

CN5M

1000

700

1000

UNIT

Volts

Amps.

FSM

R(H)

STG

250

1.1

5.0

1.0

300

- 65 to + 175

Amps.

Volts

µA

°C/W

°C

Typical Junction Capacitance (Note 1)

Thermal Resistance, Junction to Case

Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

Note

: (1) Measured at 1.0 MHz and applied reverse Voltage of 4.0 V

UPDATE : APRIL 23, 1998

CN5B相似产品对比

	CN5B	CN5A	CN5D	CN5G	CN5K	CN5J	CN5M
描述	CELL RECTIFIER DIODES	CELL RECTIFIER DIODES	CELL RECTIFIER DIODES	CELL RECTIFIER DIODES	CELL RECTIFIER DIODES	CELL RECTIFIER DIODES	CELL RECTIFIER DIODES
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
Reach Compliance Code	compli	compli	compli	compli	compli	compli	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.1 V	1.1 V	1.1 V	1.1 V	1.1 V	1.1 V	1.1 V
最大非重复峰值正向电流	250 A	250 A	250 A	250 A	250 A	250 A	250 A
元件数量	1	1	1	1	1	1	1
最高工作温度	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C
最大输出电流	5 A	5 A	5 A	5 A	5 A	5 A	5 A
最大重复峰值反向电压	100 V	50 V	200 V	400 V	800 V	600 V	1000 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1

推荐资源

S3C44B0+uClinux+jffs2遇到的mkjf.jffs2问题: 硬件开发环境：s3c44b0+sst39LF160(norflash) 软件环境：uClinux(2.4) 按照网上找的资料现在已经把分区都移植完毕了，但是在运行mkfs.jffs2 -d jffs2 -o jffs2.img的时候，导致开发板直接重 ......; zijin99 Linux开发

关于如何让Char[8]与Int[4]一一对应?即Char[0]的地址和Int[0]的地址一样: RT, 不要用 #define Int Char*0x100+zero ...; 请求权嵌入式系统

求帮忙修改一下这个可编程放大电路的仿真图: 采用计数器、模拟开关CD4066设计一增益可调的放大电路，用MULTISIM来进行仿真。这里有原电路图和我设计出来的电路图。请高手来帮我改正改正。谢谢了原理图和我设计出来的电路图都放在压缩包 ......; donkey5522 模拟电子

怎样在89C51 P0 口加入上拉电阻: 问题1.怎样在89C51 P0 口加入外部上拉装置，具体接法是怎样的？ 2.请大家解释P1口内部上拉电阻和P0口没内部上拉电阻在单片机控制输出、输入应用的差别, 到底在接入负载如数码管的 ......; glj1001 嵌入式系统

EEWORLD大学堂----LM5122宽输入同步升压控制器概述: LM5122宽输入同步升压控制器概述：https://training.eeworld.com.cn/course/1924...; hi5 聊聊、笑笑、闹闹

TI易电源试用决赛——周计划提交！: 通过第一期初识易电源——聊聊你眼中的易电源！（https://bbs.eeworld.com.cn/thread-333423-1-1.html）我们初步选出22名网友，将有机会易电源获得试用机会。根据大家提交的周计划，我们邀请相 ......; EEWORLD社区模拟与混合信号

英特尔第一财季营收161亿美元净利同比增长50%

新浪科技讯北京时间4月27日早间消息，英特尔今天公布了2018财年第一季度财报。报告显示，英特尔第一季度营收为161亿美元，与去年同期的148亿美元相比增长9%；净利润为45亿美元，与去年同期的30亿美元相比增长50%。英特尔第一季度业绩以及第二季度和全年业绩展望均超出华尔街分析师预期，推动其盘后股价大涨5%以上。　　主要业绩：　　在截至3月31日的这一财季，英特尔的净利润...[详细]
55亿晶体管的麒麟970为何被30亿晶体管的骁龙835吊打？

　　关于处理器的构架，这里不提，因为太抽象，直接比较二者的CPU和GPU是最好不过了，这也是区分二者处理性能的最佳标准和最佳方法。麒麟970 处理器，华为自主研发并发布的最新一代高端处理器手机芯片，根据介绍，这是第一款拥有人工智能的芯片，自然而然，这款处理器达到了55亿晶体管也不是没有道理的，所以晶体管数量也就超过了同时期的骁龙835 芯片。下面就随手机便携小编一起来了解一下相关内容吧。 ...[详细]
锤子科技骁龙845旗舰命名确认：坚果R1

　　很早之前，罗永浩便向外界宣布，锤子科技将在5月15日北京鸟巢举行革命性的新品发布会，并且会发布革命性产品“R1”，罗永浩还表示参加鸟巢开万人发布会请准备纸尿裤。下面就随手机便携小编一起来了解一下相关内容吧。锤子骁龙845 旗舰命名确认竟然是坚果R1 　　既然是旗舰产品，大家都认为应该当属于锤子系列的新机，因此大家也称这款全新的旗舰为锤子R1，让人怀疑的是，既然是锤子系列...[详细]
世强给中国企业提供更好的创新服务

在社会高速发展，企业追逐快速获利的今天，开办一个免费的开放实验室，供所有企业进行产品测试，在他人看来很可能是疯狂。因为不仅要资深投入大量的测试设备资源，而且还要备有专业的技术人员。可不久前，中国电子行业最优秀的半导体&元器件技术供应商，中国十大本土分销商——世强，就联合全球电子测试与测量设备的领先制造商keysight共同打造了这样一间开放实验室。所有企业只要在世强元件电商进行申请、登记，...[详细]
三星宣布！批量生产汽车用10nm LPDDR4X颗粒：无惧125度高温

三星电子日前宣布已开始量产用于汽车的10nm级16Gb(2GB)LPDDR4X DRAM内存颗粒。新的LPDDR4X内存颗粒具有极高的耐热性(高达125°C)。三星表示，最新的LPDDR4X具有高性能和高能效，满足了全球汽车制造商严格的系统热循环测试。在此之前，三星20nm级别的16Gb LPDDR4X能够承受-40°C至105°C的温度，而最新的10nm工艺内存符合Automo...[详细]
Molex、Phoenix Digital Corporation 宣布达成市场与销售协议

( 新加坡 – 2018 年4月26日) Molex 与 Phoenix Digital Corporation (PDC) 达成协议，后者是一家工业光纤通信系统的制造商。双方将通过合作，向工业自动化市场推广并提供全套、冗余且可用性极高的通信网络解决方案。 PDC 的产品在安全、容错的通信平台上整合了基于以太网的智能交换机技术。这一集成式平台的设计可以增强任何工业网络的功能，将机器设备层的过...[详细]
德国硅晶圆厂Siltronic预计2018年营收将达13亿欧元，年增10%

德国硅晶圆大厂Siltronic AG 4月25日公布2018年第1季(截至3月31日为止)财报：营收年增26.9%(季减0.2%)至3.274亿欧元；毛利率自1年前的23.0%升至38.1%；EBITDA(税前、息前、折旧摊提前盈余)年增131%至1.223亿欧元；EBITDA率报37.4%、优于一年前的20.5%以及2017年第4季的36.8%。 Siltronic指出，2017年第1季...[详细]
泰瑞达与MiR联合宣布泰瑞达收购协作自主工业机器人领先者Mi

美国马萨诸塞州北瑞丁和丹麦奥登塞 — 2018年4月25日 — 泰瑞达（纽交所：TER）和Mobile Industrial Robots (MiR)的股东今日联合宣布，丹麦奥登塞的私人持有公司MiR的收购价为现金净额1.21亿欧元（1.48亿美元），此外，如果到2020年能达到若干业绩目标，还将另加1.01亿欧元（按目前汇率折合1.24亿美元）。 MiR是领先的协作自主移动机器人（...[详细]
台积电力压三星英特尔，拿下苹果订单的秘密武器

原标题：一个“小媳妇部门”成为台积电力压三星英特尔，拿下苹果订单的秘密武器为达成一个被视为“根本不可能成功”的任务，他受命负责一个“小媳妇部门”，9年后，竟成为台积力压三星、英特尔的秘密武器。 2017年11月21日上午，台积电董事长张忠谋出现在台湾地区“总统府”。他很难得的坐在台下当配角，看着部属、台积研发副总余振华从“总统”蔡英文手中领奖，边鼓掌。这是台湾地区科学领域最高荣耀...[详细]
汽车合资股比公布时间已敲定_或于下半年

“汽车合资股比放开的方案已经在研究了，现在的说法是将在下半年之前对外公布。”4月12日，一位原国务院发展研究中心的人士透露。记者随即向有关部门进行核实，不过，记者采访的众多汽车行业相关的主管部门，均表示未听闻在年内放开的消息。但我们在国务院发展研究中心的一位高层人士处得到了更加确切的回复，“股比放开的方案最晚会在国庆节前出来，包括明确的政策和具体的调整。因为年底之前很多事情要落实到位。”该人士表...[详细]
车云五周年暨车云研究院献词

世界如此喧嚣，真相不会不辩自明，总要有人去探寻啊。从2013年4月15日成立，今天是车云的第五个生日。过去五年，车云所关注的汽车科技变革堪称21世纪人类最壮观的实验场之一，我们有幸身逢其时，成为一名参与者和记录者。但我们时常也会陷入另一种自省：人们对信息的汲取变得速食粗略，阅读取向变得轻浮琐碎，新闻就如同一粒喧嚣的尘土，易碎易逝。而汽车行业是如此的复杂深刻又充满裂变，快速生产的新闻很...[详细]
HB型混合式步进电机的结构和工作原理详解

混合式步进电机分三种：永磁式（PM），反应式（VR）和混合式（HB）。反应式步进一般为两相，转矩和体积较小，步进角一般为7.5度或1.5度；永磁式步进一般为三相，可实现大转矩输出，步进角一般为1.5度，但噪声和振动都很大。在欧美等发达国家80年代已被淘汰；混合式步进是指混合了永磁式和反应式的优点。　　混合式（即HB型）步进电机有两相、三相、五相式，转子因与相数无关，而采用相同转子，本文以...[详细]
一文解析步进电机三种驱动方式的优缺点

众所周知，步进电机的驱动方式有整步，半步，细分驱动。三者既有区别又有联系，目前，市面上很多驱动器支持细分驱动方式。　　大家都知道步进电动机是一种把电脉冲信号转换成机械角位移的控制电机，常作为数字控制系统中的执行元件。当步进驱动器接收到一个脉冲信号，它就驱动步进电机按设定的方向转动一个固定的角度（这个角度叫做歩距角）。　　正常运动情况下，它每转一周具有固定的步数；做连续步进运动时，其旋转转...[详细]
硅基AMOLED短期可望主导微型显示技术

根据DIGITIMES Research观察，目前已量产的微型显示技术包括基于水晶玻璃的HTPS TFT LCD、基于硅晶圆的DLP与LCoS以及AMOLED on Silicon等，最初系应用于投影技术，经过数年商品化验证，AMOLED on Silicon已被证明最适用于AR眼镜，并已有商品问世。不过，由于OLED技术有发光效率、操作温度范围以及寿命等主要缺点，长期来看，无机的Micro L...[详细]
三方软件深度体验解读华为手机AI能力！

随着AI技术的发展，商业化与行业落地已成为近两年AI市场的核心。而作为全球第一大硬件入口的智能手机，AI又岂会放弃这块“肥肉”，也正在从芯片、语音、视觉等各个方面加速涌入手机入口。近期华为发布了P20智能手机，这是搭载了其自研的麒麟970 AI芯片的又一款手机。自2017年9月，华为率先在全球发布麒麟970芯片后，此前这款AI芯片已经先后落地华为Mate 10、荣耀V10等系列新品。 ...[详细]

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多