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K4T51083QB-ZCCC

产品描述512Mb B-die DDR2 SDRAM
产品类别存储    存储   
文件大小593KB,共28页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
标准
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K4T51083QB-ZCCC概述

512Mb B-die DDR2 SDRAM

K4T51083QB-ZCCC规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明FBGA, BGA60,9X11,32
Reach Compliance Codecompli
最长访问时间0.6 ns
最大时钟频率 (fCLK)200 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度4,8
JESD-30 代码R-PBGA-B60
内存密度536870912 bi
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度8
湿度敏感等级3
端子数量60
字数67108864 words
字数代码64000000
最高工作温度95 °C
最低工作温度
组织64MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码FBGA
封装等效代码BGA60,9X11,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.8 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
连续突发长度4,8
最大待机电流0.008 A
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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