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CMSD2004S

产品描述0.2 A, 300 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小72KB,共2页
制造商Central Semiconductor
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CMSD2004S概述

0.2 A, 300 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE

CMSD2004S规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
零件包装代码SC-70
包装说明SOT-323, 3 PIN
针数3
制造商包装代码SOT323
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
配置SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流4 A
元件数量2
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流0.225 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.25 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压300 V
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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W
NE
CMSD2004S
HIGH VOLTAGE
SWITCHING DIODE
Central
DESCRIPTION
TM
Semiconductor Corp.
SUPER
mini
TM
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMSD2004S
type is a silicon switching diode manufactured by
the epitaxial planar process, designed for
applications requiring high voltage capability.
SOT-323 CASE
The following configurations are available:
CMSD2004S
DUAL, IN SERIES
SYMBOL
VR
VRRM
IO
IF
IFRM
IFSM
IFSM
PD
TJ,Tstg
Q
JA
MARKING CODE: B6D
UNITS
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mW
°C
°C/W
MAXIMUM RATINGS
(TA=25°C)
Continuous Reverse Voltage
Peak Repetitive Reverse Voltage
Peak Repetitive Reverse Current
Continuous Forward Current
Peak Repetitive Forward Current
Forward Surge Current, tp=1
ms
Forward Surge Current, tp=1 s
Power Dissipation
Operating and Storage
Junction Temperature
Thermal Resistance
240
300
200
225
625
4000
1000
250
-65 to +150
500
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
BVR
IR
IR
IR
IR
VF
CT
trr
TEST CONDITIONS
IR=100mA
VR=200V
VR=200V, TA=150°C
VR=240V
VR=240V, TA=150°C
IF=100mA
VR=0, f=1 MHz
IF=IR=30mA, RECOV. TO 3.0mA,RL=100W
MIN
300
MAX
-
-
100
100
1.0
5.0
50
UNIT
V
nA
mA
nA
mA
V
pF
ns
280

 
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