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SDURB2020CT

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 200V V(RRM), Silicon, D2PAK-3/2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小466KB,共4页
制造商Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
标准
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SDURB2020CT概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 200V V(RRM), Silicon, D2PAK-3/2

SDURB2020CT规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Objectid1917765030
包装说明R-PSSO-G2
Reach Compliance Codecompliant
Country Of OriginMainland China
YTEOL6
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT, SNUBBER DIODE
应用ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.15 V
JESD-30 代码R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流125 A
元件数量2
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向电流15 µA
最大反向恢复时间0.035 µs
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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SDURB2020CT
Technical Data
Data Sheet N0168, Rev. A
SDURB2020CT ULTRAFAST RECTIFIER
Applications
Antiparallel diode for high frequency
switching devices
Anti saturation diode
Snubber diode
Free wheeling diode in converters and
motor control circuits
Rectifiers in switch mode power supplies (SMPS)
Inductive heating and melting
Uninterruptible power supplies (UPS)
Ultrasonic cleaners and welders
D
2
PAK
Circuit Diagram
Features
Ultra-Fast switching
High current capability
Low reverse leakage current
High surge current capability
“-A” is an AEC-Q101 qualified device
This is a Pb − free device
All SMC parts are traceable to the wafer lot
Additional testing can be offered upon request
Maximum Ratings:
Characteristics
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
Average Rectified Forward Current
(Per Device)
Peak One Cycle Non-Repetitive Surge
Current(Per Leg)
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F (AV)
I
FSM
Condition
-
Max.
200
10(Per Leg)
20(Per Device)
125
Units
V
A
A
50% duty cycle @Tc=105°C,
rectangular wave form
8.3ms, Half Sine pulse
Electrical Characteristics:
Characteristics
Forward Voltage Drop(Per Leg)*
Reverse Current(Per Leg)*
Symbol
V
F1
I
R1
I
R2
Condition
@ I
F
= 10A, Pulse, T
J
= 25℃
@V
R
= rated V
R
T
J
= 25℃
@V
R
= rated V
R
T
J
= 125℃
I
F
=500mA, I
R
=1A,and I
rm
=250mA
Typ.
1.03
0.05
35
32
Max.
1.15
15
250
35
Units
V
μA
μA
ns
Reverse Recovery Time(Per Leg)
* Pulse width < 300 µs, duty cycle < 2%
t
rr1
China - Germany - Korea - Singapore - United States
http://www.smc-diodes.com - sales@ smc-diodes.com

 
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