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CMPTA29

产品描述HIGH VOLTAGE NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小45KB,共2页
制造商Central Semiconductor
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CMPTA29概述

HIGH VOLTAGE NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR

CMPTA29规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压100 V
配置DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)10000
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)125 MHz
Base Number Matches1

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NE
W
CMPTA29
Central
DESCRIPTION:
TM
Semiconductor Corp.
HIGH VOLTAGE
NPN SILICON
DARLINGTON TRANSISTOR
The CENTRAL SEMICONDUCTOR
CMPTA29 is a Silicon NPN Darlington
Transistor manufactured by the epitaxial planar
process, epoxy molded in a surface mount
package, designed for applications requiring
extremely high voltage and high gain.
Marking Code is C29.
SOT-23 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25
o
C)
SYMBOL
VCBO
VCES
VEBO
IC
PD
TJ,Tstg
Θ
JA
UNITS
V
V
V
mA
mW
o
C
o
C/W
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage
Junction Temperature
Thermal Resistance
100
100
12
500
350
-65 to +150
357
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25
o
C)
SYMBOL
ICES
ICBO
IEBO
BVCES
BVCBO
BVEBO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VBE(ON)
TEST CONDITIONS
VCE=80V
VCB=80V
VBE=10V
IC=100µA
IC=100µA
IE=10µA
IC=10mA, IB=10µA
IC=100mA, IB=100mA
VCE=5.0V, IC=100mA
MIN
MAX
500
100
100
UNITS
nA
nA
nA
V
V
V
V
V
V
100
100
12
1.2
1.5
2.0
202
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