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CMPT930

产品描述NPN SILICON TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小42KB,共2页
制造商Central Semiconductor
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CMPT930概述

NPN SILICON TRANSISTOR

CMPT930规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)0.03 A
集电极-发射极最大电压45 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)150
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.35 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)30 MHz
Base Number Matches1
紫潮科技有限公司
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