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CMPTA27

产品描述NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小98KB,共2页
制造商Central Semiconductor
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CMPTA27概述

NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR

CMPTA27规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)10000
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.35 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)125 MHz
Base Number Matches1

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CMPTA27
NPN
SILICON DARLINGTON TRANSISTOR
Central
TM
Semiconductor Corp.
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPTA27 type
is a Silicon NPN Darlington Transistor manufactured
by the epitaxial planar process, epoxy molded in a
surface mount package, designed for applications
requiring extremely high gain.
Marking Code is FG.
SOT-23 CASE
MAXIMUM RATINGS
(TA=25°C)
SYMBOL
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage
Junction Temperature
Thermal Resistance
TJ,Tstg
Θ
JA
-65 to +150
357
°C
°C/W
VCBO
VCES
VEBO
IC
PD
60
60
10
500
350
UNITS
V
V
V
mA
mW
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
ICES
ICBO
IEBO
BVCES
BVCBO
VCE(SAT)
VBE(ON)
hFE
hFE
fT
TEST CONDITIONS
VCE=50V
VCB=50V
VBE=10V
IC=100µA
IC=100µA
IC=100mA, IB=0.1mA
VCE=5.0V, IC=100mA
VCE=5.0V, IC=10mA
VCE=5.0V, IC=100mA
VCE=5.0V, IC=10mA, f=100MHz
10,000
10,000
125
MHz
60
60
1.5
2.0
MIN
MAX
500
100
100
UNITS
nA
nA
nA
V
V
V
V
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