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CMPT651

产品描述SURFACE MOUNT NPN HIGH CURRENT TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小103KB,共2页
制造商Central Semiconductor
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CMPT651概述

SURFACE MOUNT NPN HIGH CURRENT TRANSISTOR

CMPT651规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明PLASTIC PACKAGE-3
针数3
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)2 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.35 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)75 MHz

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CMPT651
SURFACE MOUNT
NPN HIGH CURRENT TRANSISTOR
Central
TM
Semiconductor Corp.
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT651
type is a high current NPN Silicon Transistor,
epoxy molded in a space saving Power SOT-
23F surface mount package, designed for high
current applications.
Marking code is
C651.
SOT-23F CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage
Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ,Tstg
Θ
JA
UNITS
V
V
V
A
mW
°C
°C/W
80
60
5.0
2.0
350
-65 to +150
357
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C)
SYMBOL
ICBO
IEBO
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(ON)
hFE
hFE
hFE
hFE
fT
TEST CONDITIONS
VCB=80V
VEB=4.0V
IC=100µA
IC=10mA
IE=10µA
IC=0.5A, IB=50mA
IC=1.0A, IB=100mA
IC=2.0A,
IC=1.0A,
IB=200mA
IB=100mA
75
100
75
40
75
MHz
R0 ( 03-January 2002)
300
80
60
5.0
100
200
400
1.2
1.0
MIN
MAX
100
100
UNITS
nA
nA
V
V
V
mV
mV
mV
V
V
VCE=2.0V, IC=1.0A
VCE=2.0V, IC=50mA
VCE=2.0V, IC=500mA
VCE=2.0V, IC=1.0A
VCE=2.0V, IC=2.0A
VCE=5.0V, IC=50mA, f=100MHz
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