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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> CMPT6429
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CMPT6429

产品描述NPN SILICON TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小43KB，共2页
制造商Central Semiconductor
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CMPT6429概述

NPN SILICON TRANSISTOR

CMPT6429规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
零件包装代码SOT-23
包装说明SOT-23, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)0.2 A
集电极-发射极最大电压45 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)500
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.35 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz

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CMPT6428
CMPT6429
NPN SILICON TRANSISTOR
Central
DESCRIPTION:
TM
Semiconductor Corp.
SOT-23 CASE
The
CENTRAL
SEMICONDUCTOR
CMPT6428, CMPT6429 types are NPN Silicon
Transistors manufactured by the epitaxial
planar process, epoxy molded in a surface
mount package, designed for high gain
amplifier applications.
Marking Codes are C1K and C1L
Respectively.
MAXIMUM RATINGS
(TA=25
o
C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage
Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ,Tstg
Θ
JA
CMPT6428
60
50
CMPT6429
55
45
6.0
200
350
UNITS
V
V
V
mA
mW
o
C
o
C/W
-65 to +150
357
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA=25
o
C unless otherwise noted)
CMPT6428
TEST CONDITIONS
MIN
MAX
VCB=30V
10
VCE=30V
100
VBE=5.0V
10
IC=100µA
60
IC=1.0mA
50
IC=10mA, IB=0.5mA
0.20
IC=100mA, IB=5.0mA
0.60
VCE=5.0V, IC=1.0mA
0.56
0.66
VCE=5.0V, IC=10µA
250
VCE=5.0V, IC=100µA
250
650
VCE=5.0V, IC=1.0mA
250
VCE=5.0V, IC=10mA
250
VCE=5.0V, IC=1.0mA, f=100MHz 100
700
CMPT6429
MIN
MAX
10
100
10
55
45
0.20
0.60
0.56
0.66
500
500
1250
500
500
100
700
SYMBOL
ICBO
ICEO
IEBO
BVCBO
BVCEO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VBE(ON)
hFE
hFE
hFE
hFE
fT
UNITS
nA
nA
nA
V
V
V
V
V
MHz
190

CMPT6429相似产品对比

CMPT6429 CMPT6428
描述 NPN SILICON TRANSISTOR NPN SILICON TRANSISTOR
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Central Semiconductor Central Semiconductor
零件包装代码 SOT-23 SOT-23
包装说明 SOT-23, 3 PIN SOT-23, 3 PIN
针数 3 3
Reach Compliance Code _compli _compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 LOW NOISE LOW NOISE
最大集电极电流 (IC) 0.2 A 0.2 A
集电极-发射极最大电压 45 V 50 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 500 250
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.35 W 0.35 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 100 MHz 100 MHz

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