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CMPT5551

产品描述NPN SILICON TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小43KB,共2页
制造商Central Semiconductor
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CMPT5551概述

NPN SILICON TRANSISTOR

CMPT5551规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.6 A
集电极-发射极最大电压160 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)30
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.35 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz

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CMPT5551
NPN SILICON TRANSISTOR
Central
DESCRIPTION:
TM
Semiconductor Corp.
SOT-23 CASE
MAXIMUM RATINGS
(TA=25
o
C)
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ,Tstg
Θ
JA
The CENTRAL SEMICONDUCTOR
CMPT5551 type is an NPN silicon transistor
manufactured bythe epitaxial planar process,
epoxy molded in a surface mount package,
designed for high voltage amplifier
applications.
Marking Code is 1FF.
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage
Junction Temperature
Thermal Resistance
180
160
6.0
600
350
-65 to +150
357
UNITS
V
V
V
mA
mW
o
C
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA=25
o
C unless otherwise noted)
SYMBOL
ICBO
ICBO
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(SAT)
hFE
hFE
hFE
fT
Cob
TEST CONDITIONS
VCB=120V
VCB=120V, TA=100
o
C
IC=100µA
IC=1.0mA
IE=10µA
IC=10mA, IB=1.0mA
IC=50mA, IB=5.0mA
IC=10mA, IB=1.0mA
IC=50mA, IB=5.0mA
VCE=5.0V, IC=1.0mA
VCE=5.0V, IC=10mA
VCE=5.0V, IC=50mA
VCE=10V, IC=10mA, f=100MHz
VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz
MIN
MAX
50
50
UNITS
nA
µ
A
V
V
V
V
V
V
V
180
160
6.0
0.15
0.20
1.00
1.00
80
80
30
100
250
300
6.0
MHz
pF
186
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