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CMPT4033

产品描述PNP SILICON TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小42KB,共2页
制造商Central Semiconductor
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CMPT4033概述

PNP SILICON TRANSISTOR

CMPT4033规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明PLASTIC PACKAGE-3
针数3
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)70
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.35 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz

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Central
CMPT4033
PNP SILICON TRANSISTOR
DESCRIPTION
TM
Semiconductor Corp.
The CENTRAL SEMICONDUCTOR
CMPT4033 type is an PNP silicon transistor
manufactured by the epitaxial planar process,
epoxy molded in a surface mount package,
designed for very high current, general
purpose amplifier applications.
Marking Code is C4A.
SOT-23 CASE
MAXIMUM RATINGS
(TA=25oC)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Collector Current (Peak)
Power Dissipation
Operating and Storage
Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
PD
TJ,Tstg
Θ
JA
UNITS
V
V
V
mA
A
mW
oC
oC/W
80
80
5.0
500
1.0
350
-65 to +150
357
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA=25oC unless otherwise noted)
SYMBOL
ICBO
IEBO
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(SAT)
hFE
hFE
hFE
fT
Cob
Cib
TEST CONDITIONS
VCB=60V
VEB=5.0V
IC=10µA
IC=10mA
IE=10µA
IC=150mA, IB=15mA
IC=500mA, IB=50mA
IC=150mA, IB=15mA
IC=500mA, IB=50mA
VCE=5.0V, IC=0.1mA
VCE=5.0V, IC=100mA
VCE=5.0V, IC=500mA
VCE=10V, IC=50mA, f=1.0MHz
VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz
VEB=0.5V, IC=0, f=1.0MHz
MIN
MAX
50
10
UNITS
nA
nA
V
V
V
V
V
V
V
80
80
5.0
0.15
0.50
0.90
1.10
75
100
70
100
300
20
110
MHz
pF
pF
174

 
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