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CMPT2484

产品描述NPN SILICON LOW NOISE TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小42KB,共2页
制造商Central Semiconductor
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CMPT2484概述

NPN SILICON LOW NOISE TRANSISTOR

CMPT2484规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)0.05 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)250
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.35 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

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CMPT2484
NPN SILICON
LOW NOISE TRANSISTOR
Central
DESCRIPTION:
TM
Semiconductor Corp.
SOT-23 CASE
MAXIMUM RATINGS
(TA=25
o
C)
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ,Tstg
Θ
JA
The
CENTRAL
SEMICONDUCTOR
CMPT2484 type is an NPN silicon low noise
transistor manufactured by the epitaxial planar
process, epoxy molded in a surface mount
package, designed for low noise
amplifier applications.
Marking Code is C1U.
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage
Junction Temperature
Thermal Resistance
60
60
6.0
50
350
-65 to +150
357
UNITS
V
V
V
mA
mW
o
C
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA=25
o
C unless otherwise noted)
SYMBOL
ICBO
ICBO
IEBO
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VBE(ON)
hFE
hFE
Cob
Cib
NF
TEST CONDITIONS
VCB=45V
VCB=45V, TA=150
o
C
VEB=5.0V
IC=10µA
IC=10mA
IE=10µA
IC=1.0mA, IB=100µA
VCE=5.0V, IC=1.0mA
VCE=5.0V, IC=1.0mA
VCE=5.0V, IC=10mA
VCB=5.0V, IE=0, f=1.0MHz
VEB=0.5V, IC=0, f=1.0MHz
VCE=5.0V, IC=10µA, RS=10kΩ
f=1.0kHz, BW=200Hz
MIN
MAX
10
10
10
UNITS
nA
µA
nA
V
V
V
V
V
60
60
5.0
0.35
0.95
---
800
6.0
6.0
3.0
250
---
pF
pF
dB
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