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MX2N4858

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-206AA, TO-18, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小40KB,共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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MX2N4858概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-206AA, TO-18, 3 PIN

MX2N4858规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
Objectid1714648081
零件包装代码BCY
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
最小漏源击穿电压40 V
最大漏源导通电阻60 Ω
FET 技术JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)8 pF
JEDEC-95代码TO-206AA
JESD-30 代码O-MBCY-W3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式DEPLETION MODE
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
参考标准MIL-19500/385
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料SILICON

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TECHNICAL DATA SHEET
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803
Website: http: //www.microsemi.com
N-CHANNEL J-FET
Equivalent To MIL-PRF-19500/385
DEVICES
LEVELS
2N4856
2N4857
2N4858
2N4859
2N4860
2N4861
MQ = JAN Equivalent
MX = JANTX Equivalent
MV = JANTXV Equivalent
2N4856
2N4857
2N4858
-40
40
40
50
0.36
1.8
-65 to + 200
2N4859
2N4860
2N4861
-30
30
30
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
C
= +25°C unless otherwise noted)
Parameters / Test Conditions
Gate-Source Voltage
Drain-Source Voltage
Drain-Gate Voltage
Gate Current
Power Dissipation
T
A
= +25°C
(1)
T
C
= +25°C
(2)
Operating Junction & Storage Temperature Range
(1) Derate linearly 2.06 mW/°C for T
A
> +25°C.
(2) Derate linearly 10.3 mW/°C for T
C
> +25°C.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= +25°C, unless otherwise noted)
Parameters / Test Conditions
Gate-Source Breakdown Voltage
2N4856, 2N4857, 2N4858
V
DS
= 0, I
G
= -1.0μA dc
2N4859, 2N4860, 2N4861
Gate-Source “Off” State Voltage
V
DS
= 15V dc
2N4856, 2N4859
2N4857, 2N4860
I
D
= 0.5ηA dc
2N4858, 2N4861
Gate Reverse Current
V
DS
= 0, V
GS
= -20V dc
V
DS
= 0, V
GS
= -15V dc
2N4856, 2N4857, 2N4858
2N4859, 2N4860, 2N4861
Symbol
V
(BR)GSS
Min.
-40
-30
-4.0
-2.0
-0.8
-10
-6.0
-4.0
-0.25
-0.25
0.25
50
20
8.0
175
100
80
0.75
0.50
0.50
25
40
60
Max.
Unit
Vdc
P
T
T
j
, T
stg
W
W
°C
Symbol
V
GS
V
DS
V
DG
I
G
Unit
V
V
V
mA
TO-18
(TO-206AA)
V
GS(off)
Vdc
I
GSS
I
D(off)
ηA
ηA
Drain Current Cutoff
V
GS
= -10V dc, V
DS
= 15V dc
Drain Current Zero Gate Voltage
V
GS
= 0, V
DS
= 15V dc
2N4856, 2N4859
2N4857, 2N4860
2N4858, 2N4861
Drain-Source “On” State Voltage
V
GS
= 0, I
D
= 20mA dc
2N4856, 2N4859
V
GS
= 0, I
D
= 10mA dc
2N4857, 2N4860
V
GS
= 0, I
D
= 5.0mA dc
2N4858, 2N4861
Static Drain – Source “On” State Resistance
V
GS
= 0, I
D
= 1.0mA dc
2N4856, 2N4859
2N4857, 2N4860
2N4858, 2N4861
T4-LDS-0002 Rev. 2 (090603)
I
DSS
mA
V
DS(on)
Vdc
r
ds(on)
Ω
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