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CMDSH2-3

产品描述SUPER-MINI SCHOTTKY DIODE HIGH CURRENT - 200mA
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小46KB,共2页
制造商Central Semiconductor
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CMDSH2-3概述

SUPER-MINI SCHOTTKY DIODE HIGH CURRENT - 200mA

CMDSH2-3规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明R-PDSO-G2
针数2
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性FAST SWITCHING
最小击穿电压30 V
外壳连接NONE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.55 V
JESD-30 代码R-PDSO-G2
JESD-609代码e0
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流1 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流0.2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大功率耗散0.25 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压30 V
最大反向电流50 µA
反向测试电压30 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL

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NE
W
CMDSH2-3
Central
DESCRIPTION:
TM
Semiconductor Corp.
SUPER-MINI
SCHOTTKY DIODE
HIGH CURRENT - 200mA
SUPER
mini
TM
The
CENTRAL
SEMICONDUCTOR
CMDSH2-3 type is a Silicon Schottky Diode,
manufactured in a super-mini surface mount
package, designed for fast switching
applications requiring a low forward voltage
drop.
Marking Code is S2.
SOD-323 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
SYMBOL
VRRM
IO
IFSM
PD
TJ,Tstg
Θ
JA
UNITS
V
mA
A
mW
°C
°C/W
Peak Repetitive Reverse Voltage
Average Forward Current
Forward Surge Current, tp=10 ms
Power Dissipation
Operating and Storage
Junction Temperature
Thermal Resistance
30
200
1.0
250
-65 to +150
500
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C)
SYMBOL
BVR
VF
VF
VF
VF
IR
CT
TEST CONDITIONS
IF=100µA
IF=2.0mA
IF=15mA
IF=100mA
IF=200mA
VR=30V
VR=10V, f=1.0 MHz
MIN
30
TYP
0.26
0.32
0.42
0.49
0.40
15
MAX
UNIT
V
V
V
V
V
µA
pF
0.55
50
122

 
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