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BCW60B

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小81KB,共2页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
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BCW60B概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

BCW60B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)0.2 A
基于收集器的最大容量4.5 pF
集电极-发射极最大电压32 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)180
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.3 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)125 MHz
VCEsat-Max0.3 V
Base Number Matches1

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Transistors
FSST3
/ NPN type
USA / European specification models types
SST3 package
FSST3
S
SMT3 / NPN type
General purpose small signal amplifiers
SST3 package
SMT3 package
84

BCW60B相似产品对比

BCW60B BCW65B
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
是否Rohs认证 符合 符合
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknow unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.2 A 0.8 A
基于收集器的最大容量 4.5 pF 12 pF
集电极-发射极最大电压 32 V 32 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 180 160
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.3 W 0.35 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 125 MHz 100 MHz
VCEsat-Max 0.3 V 0.7 V
Base Number Matches 1 1
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