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CM1200HB-66H

产品描述1200 A, 3300 V, N-CHANNEL IGBT
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小55KB,共4页
制造商POWEREX
官网地址http://www.pwrx.com/Home.aspx
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CM1200HB-66H概述

1200 A, 3300 V, N-CHANNEL IGBT

1200 A, 3300 V, N沟道 IGBT

CM1200HB-66H规格参数

参数名称属性值
厂商名称POWEREX
零件包装代码MODULE
包装说明FLANGE MOUNT, R-MUFM-X9
针数9
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)1200 A
集电极-发射极最大电压3300 V
配置COMPLEX
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-MUFM-X9
元件数量3
端子数量9
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)15630 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)3500 ns
标称接通时间 (ton)1600 ns
VCEsat-Max4.94 V
Base Number Matches1
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