GaAs FET (Power amplifier for mobile phones For frequencies from 400 MHz to 2.5 GHz)
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | SIEMENS |
零件包装代码 | SOT-223 |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
针数 | 4 |
Reach Compliance Code | unknow |
外壳连接 | SOURCE |
配置 | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 9 V |
FET 技术 | JUNCTION |
最高频带 | S BAND |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G4 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 4 |
工作模式 | DEPLETION MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | GALLIUM ARSENIDE |
CLY5 | Q62702-L90 | |
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描述 | GaAs FET (Power amplifier for mobile phones For frequencies from 400 MHz to 2.5 GHz) | GaAs FET (Power amplifier for mobile phones For frequencies from 400 MHz to 2.5 GHz) |
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