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CLX27-00

产品描述HiRel X-Band GaAs Power-MESFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小613KB,共9页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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CLX27-00概述

HiRel X-Band GaAs Power-MESFET

CLX27-00规格参数

参数名称属性值
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压11 V
最大漏极电流 (ID)0.42 A
FET 技术METAL SEMICONDUCTOR
最高频带X BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F2
元件数量1
端子数量2
工作模式DEPLETION MODE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)17.5 dB
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches1

CLX27-00相似产品对比

CLX27-00 CLX27-05 CLX27-10 CLX27
描述 HiRel X-Band GaAs Power-MESFET HiRel X-Band GaAs Power-MESFET HiRel X-Band GaAs Power-MESFET HiRel X-Band GaAs Power-MESFET
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) -
包装说明 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 -
针数 2 2 2 -
Reach Compliance Code unknown unknown unknown -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 -
外壳连接 SOURCE SOURCE SOURCE -
配置 SINGLE SINGLE SINGLE -
最小漏源击穿电压 11 V 11 V 11 V -
最大漏极电流 (ID) 0.42 A 0.42 A 0.42 A -
FET 技术 METAL SEMICONDUCTOR METAL SEMICONDUCTOR METAL SEMICONDUCTOR -
最高频带 X BAND X BAND X BAND -
JESD-30 代码 R-CDFM-F2 R-CDFM-F2 R-CDFM-F2 -
元件数量 1 1 1 -
端子数量 2 2 2 -
工作模式 DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE -
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT -
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL -
最小功率增益 (Gp) 17.5 dB 18 dB 18 dB -
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified -
表面贴装 YES YES YES -
端子形式 FLAT FLAT FLAT -
端子位置 DUAL DUAL DUAL -
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER -
晶体管元件材料 GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE -
Base Number Matches 1 1 1 -

 
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