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VP0220N2

产品描述TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,200V V(BR)DSS,350MA I(D),TO-39
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小293KB,共4页
制造商Microchip(微芯科技)
官网地址https://www.microchip.com
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VP0220N2概述

TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,200V V(BR)DSS,350MA I(D),TO-39

VP0220N2规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid114526946
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.35 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e0
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)4 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
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