电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

K7B163625M-HC85T

产品描述Standard SRAM, 512KX36, 8.5ns, CMOS, PBGA119
产品类别存储    存储   
文件大小433KB,共21页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
下载文档 详细参数 全文预览

K7B163625M-HC85T概述

Standard SRAM, 512KX36, 8.5ns, CMOS, PBGA119

K7B163625M-HC85T规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
Objectid1235460493
包装说明BGA, BGA119,7X17,50
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间8.5 ns
最大时钟频率 (fCLK)100 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B119
JESD-609代码e0
内存密度18874368 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度36
湿度敏感等级3
端子数量119
字数524288 words
字数代码512000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织512KX36
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装等效代码BGA119,7X17,50
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
电源2.5/3.3,3.3 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.03 A
最小待机电流3.14 V
最大压摆率0.35 mA
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式BALL
端子节距1.27 mm
端子位置BOTTOM

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 286  434  438  633  1140 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved