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BLU1206P-30R5-DB15

产品描述Res,SMT,Thin Film,30.5 Ohms,150WV,.5% +/-Tol,15ppm TC,1206 Case
产品类别无源元件    电阻器   
文件大小229KB,共1页
制造商RCD Components Inc.
官网地址http://www.rcdcomponents.com/
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BLU1206P-30R5-DB15概述

Res,SMT,Thin Film,30.5 Ohms,150WV,.5% +/-Tol,15ppm TC,1206 Case

BLU1206P-30R5-DB15规格参数

参数名称属性值
Objectid738133898
Reach Compliance Codecompliant
Country Of OriginTaiwan
ECCN代码EAR99
YTEOL7.65
构造Chip
端子数量2
最高工作温度155 °C
封装高度0.5 mm
封装长度3.2 mm
封装形式SMT
封装宽度1.6 mm
包装方法Bulk
额定功率耗散 (P)0.25 W
电阻30.5 Ω
电阻器类型FIXED RESISTOR
尺寸代码1206
技术THIN FILM
温度系数15 ppm/°C
容差0.5%
工作电压150 V
详细分析功率MOS管的损坏原因
第一种:雪崩破坏如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压,而且达到击穿电压V(BR)DSS (根据击穿电流其值不同),并超出一定的能量后就发生破坏的现象。在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压,或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOSFET的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。典型电路:第二种:器件发热损坏由超出安全区域引起发热而导致的。发热的原因分为直流功率和...
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