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HY51V16404CR-60

产品描述EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-26/24
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文件大小250KB,共8页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HY51V16404CR-60概述

EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-26/24

HY51V16404CR-60规格参数

参数名称属性值
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码TSOP2
包装说明TSOP2-R,
针数26
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间60 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码R-PDSO-G24
JESD-609代码e6
长度17.14 mm
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型EDO DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量24
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2-R
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层TIN BISMUTH
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度7.62 mm
Base Number Matches1

 
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