KMM464S1724T1-FL,KMM464S1724T1-FL pdf中文资料,KMM464S1724T1-FL引脚图,KMM464S1724T1-FL电路-Datasheet-电子工程世界

KMM464S1724T1-FL: 产品描述Synchronous DRAM Module, 16MX64, 6ns, CMOS; 产品类别存储存储; 文件大小179KB，共11页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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KMM464S1724T1-FL概述

Synchronous DRAM Module, 16MX64, 6ns, CMOS

	KMM464S1724T1-FL	KMM464S1724T1-FH
描述	Synchronous DRAM Module, 16MX64, 6ns, CMOS	Synchronous DRAM Module, 16MX64, 6ns, CMOS
厂商名称	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)
包装说明	DIMM, DIMM144,32	DIMM, DIMM144,32
Reach Compliance Code	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	6 ns	6 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	100 MHz	100 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N144	R-XDMA-N144
内存密度	1073741824 bit	1073741824 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度	64	64
功能数量	1	1
端口数量	1	1
端子数量	144	144
字数	16777216 words	16777216 words
字数代码	16000000	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C
组织	16MX64	16MX64
输出特性	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM144,32	DIMM144,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	4096
自我刷新	YES	YES
最大待机电流	0.008 A	0.008 A
最大压摆率	1.6 mA	1.6 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V
表面贴装	NO	NO
技术	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	DUAL	DUAL

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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