电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

BC635RL1

产品描述transistor npn GP 45v 1A TO-92
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小54KB,共5页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

BC635RL1概述

transistor npn GP 45v 1A TO-92

BC635RL1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码TO-92
包装说明CASE 29-11, TO-226, 3 PIN
针数3
制造商包装代码CASE 29-11
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性EUROPEAN PART NUMBER
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压45 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)240
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.625 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)200 MHz

文档预览

下载PDF文档
BC635, BC637, BC639,
BC639−16
High Current Transistors
NPN Silicon
Features
http://onsemi.com
COLLECTOR
2
3
BASE
Symbol
V
CEO
BC635
BC637
BC639
Collector - Base Voltage
BC635
BC637
BC639
Emitter - Base Voltage
Collector Current − Continuous
Total Device Dissipation @ T
A
= 25°C
Derate above 25°C
Total Device Dissipation @ T
C
= 25°C
Derate above 25°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
V
EBO
I
C
P
D
P
D
T
J
, T
stg
V
CBO
45
60
80
5.0
1.0
625
5.0
800
12
−55 to +150
Vdc
Adc
mW
mW/°C
mW
mW/°C
°C
1
2
3
45
60
80
Vdc
Value
Unit
Vdc
1
EMITTER
Pb−Free Packages are Available*
MAXIMUM RATINGS
Rating
Collector - Emitter Voltage
TO−92
CASE 29
STYLE 14
MARKING DIAGRAM
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Thermal Resistance,
Junction−to−Ambient
Thermal Resistance,
Junction−to−Case
Symbol
R
qJA
R
qJC
Max
200
83.3
Unit
°C/W
°C/W
BC
63x
AYWW
G
G
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and
reliability may be affected.
= Device Code
x = 5, 7, or 9
A
= Assembly Location
Y
= Year
WW
= Work Week
G
= Pb−Free Package
(Note: Microdot may be in either location)
BC63x
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 4 of this data sheet.
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2005
1
September, 2005 − Rev. 5
Publication Order Number:
BC635/D

BC635RL1相似产品对比

BC635RL1 BC639RL1 BC635ZL1G BC635ZL1 BC639-16ZL1 BC635RL1G
描述 transistor npn GP 45v 1A TO-92 transistor npn GP 80v 1A TO-92 transistor npn GP 45v 1A TO-92 transistor npn GP 45v 1A TO-92 transistor npn GP 80v 1A TO-92 transistor npn GP 45v 1A TO-92
是否Rohs认证 不符合 不符合 符合 不符合 不符合 符合
零件包装代码 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92
包装说明 CASE 29-11, TO-226, 3 PIN CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CASE 29-11, TO-226, 3 PIN CASE 29-11, TO-226, 3 PIN CASE 29-11, TO-226, 3 PIN CASE 29-11, TO-226, 3 PIN
针数 3 3 3 3 3 3
制造商包装代码 CASE 29-11 CASE 29-11 CASE 29-11 CASE 29-11 CASE 29-11 CASE 29-11
Reach Compliance Code _compli _compli unknow _compli _compli unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 EUROPEAN PART NUMBER EUROPEAN PART NUMBER EUROPEAN PART NUMBER EUROPEAN PART NUMBER EUROPEAN PART NUMBER EUROPEAN PART NUMBER
最大集电极电流 (IC) 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A
集电极-发射极最大电压 45 V 80 V 45 V 45 V 80 V 45 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 40 40 40 40 100 40
JEDEC-95代码 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3
JESD-609代码 e0 e0 e1 e0 e0 e1
元件数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度) 240 240 260 240 240 260
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.625 W 0.625 W 0.625 W 0.625 W 0.8 W 0.625 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 40 30 30 40
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 200 MHz 200 MHz 200 MHz 200 MHz 200 MHz 200 MHz
厂商名称 ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) - ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美)
请教升压模块
本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 08:59 编辑 D题中,需要把3V电压转成5V,请问有什么成形的芯片或者电路可以使用么? 谢谢诸位大侠了 ...
zpsuper2008 电子竞赛
如果使用了新库,交叉编译应该怎么做?
rt,我使用了libpcap库编写的程序,需要在ARM7平台上跑,那交叉编译的时候应该怎么做。也就是如果使用了平时不用的库,具体应该怎么做?...
godzh 嵌入式系统
SimpleLink™ Wi-Fi® CC3000 – SmartConfig™ technology
TI’s new SimpleLink™ Wi-Fi® CC3000 module features SmartConfig™ technology, a unique one-step Wi-Fi activation process. Watch the video to see how simple the techn ......
德州仪器_视频 TI技术论坛
zigbee模块发射功率衰减问题
用1个协调器和5个终端节点组成星网络。协调器与组态王通讯,终端与PLC通讯。刚开始1小时通讯正常,以后经常断线,在以后就连不上了。是不是zigbee模块发射功率衰减问题?请帮忙分析一下!后来设 ......
yuchao 无线连接
谁能给个LM334提供1mA电流的恒流源电路??
我照资料上做的怎么不能提供恒流呢,电流还是随电阻变化,二极管一定要用IN457吗?? 这是我的电路,Vin是5V,R1=133欧,R2=1330欧,我把R1=68欧,R2=680欧也不能提供1mA恒流...
weifanghuang 嵌入式系统

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1037  1397  343  1832  2115  46  24  51  39  5 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved