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SS9011GBU

产品描述transistor npn 30v 30ma TO-92
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小36KB,共4页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
标准
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SS9011GBU概述

transistor npn 30v 30ma TO-92

SS9011GBU规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Fairchild
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.03 A
集电极-发射极最大电压30 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)72
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT APPLICABLE
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.4 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT APPLICABLE
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)2 MHz

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SS9011
SS9011
AM Converter, AM/FM IF Amplifier
General Purpose Transistor
1
TO-92
1. Emitter 2. Base 3. Collector
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25°C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
STG
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Parameter
Ratings
50
30
5
30
400
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
mA
mW
°C
°C
Electrical Characteristics
T
a
=25°C unless otherwise noted
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE
(sat)
V
BE
(on)
C
ob
f
T
NF
Parameter
Collector-Base Breakdown Voltage
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown Voltage
Collector Cut-off Current
Emitter Cut-off Current
DC Current Gain
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter on Voltage
Output Capacitance
Current Gain Bandwidth Product
Noise Figure
Test Condition
I
C
= 100µA, I
E
=0
I
C
=1mA, I
B
=0
I
E
= 100µA, I
C
=0
V
CB
= 50V, I
E
=0
V
EB
= 5V, I
C
=0
V
CE
= 5V, I
C
= 1mA
I
C
= 10mA, I
B
= 1mA
V
CE
= 5V, I
C
= 1mA
V
CB
= 10V, I
E
= 0
f = 1MHz
V
CE
= 5V, I
C
= 1mA
V
CE
= 5V, I
C
= 1.0 mA
f=1MHz, R
S
= 500Ω
0.65
150
28
90
0.08
0.7
1.5
370
2.0
4.0
Min.
50
30
5
100
100
198
0.3
0.75
V
V
pF
MHz
dB
Typ.
Max.
Units
V
V
V
nA
nA
h
FE
Classification
Classification
h
FE
D
28 ~ 45
E
39 ~ 60
F
54 ~ 80
G
72 ~ 108
H
97 ~ 146
I
132 ~ 198
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A4, November 2002

SS9011GBU相似产品对比

SS9011GBU SS9011FBU SS9011HBU
描述 transistor npn 30v 30ma TO-92 transistor npn 30v 30ma TO-92 transistor npn 30v 30ma TO-92
是否Rohs认证 符合 符合 符合
厂商名称 Fairchild Fairchild Fairchild
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.03 A - 0.03 A
集电极-发射极最大电压 30 V - 30 V
配置 SINGLE - SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 72 - 97
JEDEC-95代码 TO-92 - TO-92
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 - O-PBCY-T3
JESD-609代码 e3 - e3
元件数量 1 - 1
端子数量 3 - 3
最高工作温度 150 °C - 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND - ROUND
封装形式 CYLINDRICAL - CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT APPLICABLE - NOT APPLICABLE
极性/信道类型 NPN - NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.4 W - 0.4 W
认证状态 Not Qualified - Not Qualified
表面贴装 NO - NO
端子面层 Matte Tin (Sn) - Matte Tin (Sn)
端子形式 THROUGH-HOLE - THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM - BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT APPLICABLE - NOT APPLICABLE
晶体管应用 AMPLIFIER - AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON - SILICON
标称过渡频率 (fT) 2 MHz - 2 MHz
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