FIFO, 4KX9, 30ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 零件包装代码 | QFJ |
| 包装说明 | QCCN, LCC32,.45X.55 |
| 针数 | 32 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 30 ns |
| 其他特性 | RETRANSMIT |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 25 MHz |
| 周期时间 | 40 ns |
| JESD-30 代码 | R-CQCC-N32 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 13.97 mm |
| 内存密度 | 36864 bit |
| 内存集成电路类型 | OTHER FIFO |
| 内存宽度 | 9 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 32 |
| 字数 | 4096 words |
| 字数代码 | 4000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 4KX9 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 可输出 | NO |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | QCCN |
| 封装等效代码 | LCC32,.45X.55 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
| 座面最大高度 | 2.54 mm |
| 最大待机电流 | 0.004 A |
| 最大压摆率 | 0.1 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 11.43 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| AM7204A-30/BUA | AM7204A-30/BXA | AM7204A-50/BUA | |
|---|---|---|---|
| 描述 | FIFO, 4KX9, 30ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 | FIFO, 4KX9, 30ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, CERAMIC, DIP-28 | FIFO, 4KX9, 50ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 零件包装代码 | QFJ | DIP | QFJ |
| 包装说明 | QCCN, LCC32,.45X.55 | DIP, DIP28,.6 | QCCN, LCC32,.45X.55 |
| 针数 | 32 | 28 | 32 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 30 ns | 30 ns | 50 ns |
| 其他特性 | RETRANSMIT | RETRANSMIT | RETRANSMIT |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 25 MHz | 25 MHz | 15.3 MHz |
| 周期时间 | 40 ns | 40 ns | 65 ns |
| JESD-30 代码 | R-CQCC-N32 | R-GDIP-T28 | R-CQCC-N32 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
| 长度 | 13.97 mm | 37.1475 mm | 13.97 mm |
| 内存密度 | 36864 bit | 36864 bit | 36864 bit |
| 内存集成电路类型 | OTHER FIFO | OTHER FIFO | OTHER FIFO |
| 内存宽度 | 9 | 9 | 9 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 32 | 28 | 32 |
| 字数 | 4096 words | 4096 words | 4096 words |
| 字数代码 | 4000 | 4000 | 4000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 组织 | 4KX9 | 4KX9 | 4KX9 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 可输出 | NO | NO | NO |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | QCCN | DIP | QCCN |
| 封装等效代码 | LCC32,.45X.55 | DIP28,.6 | LCC32,.45X.55 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | IN-LINE | CHIP CARRIER |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B |
| 座面最大高度 | 2.54 mm | 5.588 mm | 2.54 mm |
| 最大待机电流 | 0.004 A | 0.004 A | 0.004 A |
| 最大压摆率 | 0.1 mA | 0.1 mA | 0.09 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | NO | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | NO LEAD | THROUGH-HOLE | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm | 2.54 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD | DUAL | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 11.43 mm | 15.24 mm | 11.43 mm |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
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