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TN6725A_D26Z

产品描述trans darl npn 50v 1.2A TO-226
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小32KB,共3页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
标准  
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TN6725A_D26Z在线购买

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TN6725A_D26Z概述

trans darl npn 50v 1.2A TO-226

TN6725A_D26Z规格参数

参数名称属性值
Datasheets
TN6725A
Product Photos
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 14/Mar/2011
Standard Package2,000
CategoryDiscrete Semiconductor Products
FamilyTransistors (BJT) - Single
系列
Packaging
Tape & Reel (TR)
Transistor TypeNPN - Darling
Current - Collector (Ic) (Max)1.2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic1.5V @ 2mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce4000 @ 1A, 5V
Power - Max1W
Mounting TypeThrough Hole
封装 / 箱体
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Supplier Device PackageTO-226

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TN6725A
Discrete Power & Signal
Technologies
TN6725A
CB
E
TO-226
NPN Darlington Transistor
This device is designed for applications requiring extremely high current gain at collector currents to 1A. Sourced
from Process 05. See MPSA14 for characteristics.
Absolute Maximum Ratings*
Symbol
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J,
T
stg
Parameter
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current - Continuous
T
A = 25°C unless otherwise noted
Value
50
60
12
1.2
-55 to +150
Units
V
V
V
A
°C
Operating and Storage Junction Temperature Range
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150°C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
Symbol
T
A = 25°C unless otherwise noted
Max
Characteristic
TN6725A
P
D
R
θJC
R
θJA
Total Device Dissipation
Derate above 25°C
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
1
8
50
125
W
mW/°C
°C/W
°C/W
Units
©
1997 Fairchild Semiconductor Corporation
TN6725A, Rev A

TN6725A_D26Z相似产品对比

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描述 trans darl npn 50v 1.2A TO-226 trans darl npn 50v 1.2A TO-226 trans darl npn 50v 1.2A TO-226 trans darl npn 50v 1.2A TO-226
Standard Package 2,000 2,000 2,000 -
Category Discrete Semiconductor Products Discrete Semiconductor Products Discrete Semiconductor Products -
Family Transistors (BJT) - Single Transistors (BJT) - Single Transistors (BJT) - Single -
系列
Packaging
Tape & Reel (TR) Tape & Box (TB) Tape & Box (TB) -
Transistor Type NPN - Darling NPN - Darling NPN - Darling -
Current - Collector (Ic) (Max) 1.2A 1.2A 1.2A -
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V 50V 50V -
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 2mA, 1A 1.5V @ 2mA, 1A 1.5V @ 2mA, 1A -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 4000 @ 1A, 5V 4000 @ 1A, 5V 4000 @ 1A, 5V -
Power - Max 1W 1W 1W -
Mounting Type Through Hole Through Hole Through Hole -
封装 / 箱体
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads -
Supplier Device Package TO-226 TO-226 TO-226 -
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