HBC12DRYH-S93

　　异常类型 　　F103 在内核水平上搭载了一个异常响应系统， 支持为数众多的系统异常和外部中断。其中系统异常有8 个(如果把Reset 和HardFault 也算上的话就是10 个)，外部中断有60个。除了个别异常的优先级被定死外，其它异常的优先级都是可编程的。有关具体的系统异常和外部中断可在标准库文件stm32f10x.h 这个头文件查询到，在IRQn_Type 这个结构体里面包含了F10...[详细]

　　在基础实验成功的基础上，对串口的调试方法进行实践。硬件代码顺利完成之后，对日后调试需要用到的printf重定义进行调试，固定在自己的库函数中。 　　b) 初始化函数定义： 　　void USART_Configuration(void); //定义串口初始化函数 　　c) 初始化函数调用： 　　void UART_Configuration(void); //串口初始化函数调用 　　初始化代...[详细]

您怎么知道一台机器是否在正常运行？问题的回答是：通过利用深度学习来检测工业机器的常规振动数据中的异常情况。异常检测有很多用途，而尤其在预测性维护中特别有用。 这个深度学习的例子讲的是基于双向长短期记忆网络（biLSTM）的自动编码器。虽然这个词很拗口，但它仅表示训练网络来重构“正常”数据。这样，当我们给算法提供一些看起来不同的数据时，重构错误会提示您机器可能需要维护。当您所拥有的数据均为“正...[详细]

电动汽车产生的电磁辐射对人体伤害大？近段时间，围绕电动汽车电磁辐射的问题引发广泛关注，然而，事实上，公众的认知大多是错误的，对电动汽车的电磁辐射缺乏正确的认知。9月30日，中国汽车工业协会（以下简称“中汽协”）副秘书长许艳华接受媒体专访，用真实的测试数据做出科学判断：电动汽车产生的电磁辐射对人体健康没有危害。 我们生活的环境中，可以说电磁辐射无所不在，电动汽车也不例外，甚至传统的燃油车也有电...[详细]

随着汽车的逐渐增多，环境压力也逐渐变得越来越大。也是这个时候，有人说新能源汽车节能环保，和传统用油的汽车有很大不同，这着实吸引了一大批受众。那么新能源到底能不能买呢？这个问题其实是非常困扰消费者的。如果你在北上广一线城市的话，新能源汽车是没有什么大问题的。毕竟现在的大环境下，大城市还是非常主要节能的，而新能源车牌也确实是一个非常有诱惑力的标签。 但如果你所在的城市限行，上牌不需要摇号等，还是...[详细]

8 月 25 日消息，台积电作为全球领先的芯片代工制造商，其在美国亚利桑那州建设芯片制造工厂的决定备受瞩目。台积电主要为无晶圆厂（fabless）的芯片设计公司生产芯片，这些公司包括苹果、英伟达、高通、联发科、博通和 AMD 等科技巨头。美国一直渴望在半导体领域实现自给自足，而台积电的这一举措被视为重要一步。 特朗普政府为台积电在美国建厂铺平了道路，拜登总统则通过签署《芯片与科学法案》提供了数十...[详细]

随着智能电动汽车的快速普及，汽车芯片正从辅助控制单元，跃升为支撑整车智能化的“底座”。其应用范围从动力控制、底盘域、智能座舱、辅助驾驶域延展至整车中央计算平台，构建出一个高算力、高安全、高可靠的硬核体系。在全球芯片巨头如英伟达、高通、英飞凌等持续加码的同时，华为、比亚迪、地平线、黑芝麻智能等本土企业正快速崛起，推动国产替代加速落地。伴随整车架构向中央计算与域控制器转型，汽车芯片的产业链格局正被深...[详细]

　　众所周知STM32有5个时钟源HSI、HSE、LSI、LSE、PLL，其实他只有四个，因为从上图中可以看到PLL都是由HSI或HSE提供的。 　　其中，高速时钟(HSE和HSI)提供给芯片主体的主时钟.低速时钟(LSE和LSI)只是提供给芯片中的RTC(实时时钟)及独立看门狗使用，图中可以看出高速时钟也可以提供给RTC。 　　内部时钟是在芯片内部RC振荡器产生的，起振较快，所以时钟在芯片刚上...[详细]

相较于51单片机，stm32的时钟系统可以说是非常复杂了，我们现在看下面的一张图： 上图说明了时钟的走向，是从左至右的从时钟源一步步的分配给外设时钟。需要注意的是，上图左侧一共有四个时钟源，从上到下依次是： 高速内部时钟（HSI）：以内部RC振荡器产生，频率为8Mhz,但相较于外部时钟不稳定。 高速内部时钟（HSE）：以外部晶振作为时钟源，晶振频率可取范围为4~16Mhz,一般采用8Mhz的...[详细]

在科技演进浪潮中，能源技术已逐渐成为现代产业发展的核心驱动力。从移动设备到云服务器，从电动车到智慧城市，科技产品日益强调效能、速度与可持续能源的平衡，而这一切的背后都需要更高效、更稳定的电源转换技术。 随着各种应用对能源效率与功率密度的要求不断提高，传统以硅（Silicon, Si）为基础的功率元件正面临物理与性能的极限挑战。这也促使业界开始寻求更具潜力的新型材料，其中氮化镓（Gallium...[详细]

8 月 21 日消息，据韩媒 SEDaily 昨天报道，据半导体业界消息，三星上月提供给英伟达的 HBM4 样品已通过初期测试和质量测试，将在本月底进入“预生产”阶段。 其中“预生产”（IT之家注：PP，Pre-Production）是指半导体芯片量产前实施的最终验证阶段，需要测试其与客户 GPU 产品的兼容性，以及在特定温度下能否满足高质量标准。 SEDaily 表示，HBM4 芯片将被应用在...[详细]

强茂——您值得信赖的半导体解决方案合作伙伴，诚挚邀请您莅临参观2025年印度电子展，南亚领先的电子元件、系统、应用与解决方案贸易展。展期为2025年9月17日至19日。 强茂位于5号馆A01展位，探索我们在MCU、IC、分立器件等领域的最新创新产品，驱动下一代的汽车、工业与消费电子发展。从二轮与三轮车水泵、油泵到消费类吊扇应用，强茂垂直整合的解决方案将助您加速设计流程，全面提升系统性能。欢...[详细]

近些年，伴随着MOSFET的发展趋势，在低输出功率快速开关行业，MOSFET正逐渐取代三极管，领域主要生产厂家对三极管的研发投入也逐渐降低，在芯片设计层面基本上沒有资金投入，器件的新技术进步具体表现在圆晶加工工艺的升級，封装小型化及表贴化上。此外，相对一般三极管，RF三极管的具体发展趋势是低电压工作电压供电系统，低噪音，高频率及高效率。 1、三极管及MOSFET归类型号选择基本原则如下所示：...[详细]

轴承位磨损问题作为制造业常见的设备问题普遍存在，在提倡控制生产成本的今天，利用修复技术减少因轴承位磨损造成的报废更换，既符合当前“再制造”形势的要求，又可以缩短企业停机时间、节约更换成本，达到为企业创造经济效益的目的。 轴承位磨损的常见原因？ 1、轴承位易出现金属疲劳，使轴承内圈和轴的配合面由过盈配合变成间隙配合，不再处于“抱紧”状态，导致轴承内圈与轴出现相对位移，造成轴承位磨损加剧； 2、轴...[详细]

电子器件是电子线路中的单独小个体，三极管一般的电子元器件，因为其应用范围十分普遍，依照电子元器件网销售市场排名榜的使用量，贴片三极管的常见规格为S8050，S8550，2N3904，2N3906，MMBT3904，MMBT3906，MMBT2222，MMBT2907，DTA113，DTA114，DTC113，DTC114这些；应对这不一般多的三极管型号规格挑选，出色的硬件配置技术工程师们是如何做...[详细]