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MTZJT-773.9B

产品描述diode zener 3.9V 500mw msd
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小49KB,共4页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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MTZJT-773.9B概述

diode zener 3.9V 500mw msd

MTZJT-773.9B规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗100 Ω
JEDEC-95代码DO-34
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e3/e2
膝阻抗最大值1000 Ω
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)260
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压3.9 V
最大反向电流5 µA
表面贴装NO
技术ZENER
端子面层TIN/TIN COPPER
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
最大电压容差2.5%
工作测试电流5 mA

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MTZ J Series
Diodes
Zener diode
MTZ J Series
Applications
Constant voltage control
External dimensions
(Unit : mm)
CATHODE BAND (BLACK)
Features
1) Glass sealed envelope. (MSD)
2) High reliability.
29.0±1.0
2.7±0.3
29.0±1.0
φ
0.4±0.1
φ
1.8±0.2
Construction
Silicon epitaxial planer
ROHM : MSD
EIAJ :
JEDEC : DO-34
The Zener voltage value is stamped
on the body as a digital marking.
Absolute maximum ratings
(Ta=25°C)
Parameter
Power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
P
Tj
Tstg
Limits
500
175
−65
to
+175
Unit
mW
°C
°C
1/3
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