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SP8M6FU6TB

产品描述mosfet N/P-CH 30v 5A/3.5A 8soic
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小91KB,共6页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
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SP8M6FU6TB概述

mosfet N/P-CH 30v 5A/3.5A 8soic

SP8M6FU6TB规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
最大漏极电流 (Abs) (ID)5 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2 W
表面贴装YES

SP8M6FU6TB相似产品对比

SP8M6FU6TB SP8M6TB
描述 mosfet N/P-CH 30v 5A/3.5A 8soic mosfet N/P-CH 30v 5A/3.5A 8soic
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体)
Reach Compliance Code unknow compliant
最大漏极电流 (Abs) (ID) 5 A 5 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL AND P-CHANNEL N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 2 W 2 W
表面贴装 YES YES

 
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