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VIT1060C-E3/4W

产品描述diode schottky 10a 60v TO-262aa
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小168KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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VIT1060C-E3/4W概述

diode schottky 10a 60v TO-262aa

VIT1060C-E3/4W规格参数

参数名称属性值
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码TO-262AA
包装说明R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.6 V
JEDEC-95代码TO-262AA
JESD-30 代码R-PSIP-T3
最大非重复峰值正向电流100 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压60 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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New Product
VT1060C, VFT1060C, VBT1060C & VIT1060C
Vishay General Semiconductor
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
Ultra Low V
F
= 0.39 V at I
F
= 2.5 A
TMBS
®
TO-220AB
ITO-220AB
FEATURES
• Trench MOS Schottky technology
• Low forward voltage drop, low power
losses
• High efficiency operation
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF
maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package)
2
VT1060C
PIN 1
PIN 3
PIN 2
CASE
3
1
VFT1060C
PIN 1
PIN 3
PIN 2
2
3
1
• Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,
per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB and
TO-262AA package)
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in
accordance to WEEE 2002/96/EC
TYPICAL APPLICATIONS
For use in high frequency inverters, switching power
supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, dc-to-dc
converters and reverse battery protection.
TO-263AB
K
K
TO-262AA
2
1
1
VBT1060C
PIN 1
PIN 2
K
HEATSINK
2
3
VIT1060C
PIN 1
PIN 3
PIN 2
K
MECHANICAL DATA
Case:
TO-220AB, ITO-220AB, TO-263AB and
TO-262AA
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability
rating
Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade
Terminals:
Matte tin plated leads, solderable per
J-STD-002 and JESD 22-B102
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test
Polarity:
As marked
Mounting Torque:
10 in-lbs maximum
PRIMARY CHARACTERISTICS
I
F(AV)
V
RRM
I
FSM
V
F
at I
F
= 5.0 A
T
J
max.
2x5A
60 V
100 A
0.50 V
150 °C
MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum average forward rectified current
(fig. 1)
per device
per diode
SYMBOL
V
RRM
I
F(AV)
I
FSM
E
AS
I
RRM
V
AC
T
J
, T
STG
VT1060C
VFT1060C
VBT1060C
60
10
5
100
65
1.0
1500
- 55 to + 150
VIT1060C
UNIT
V
A
A
mJ
A
V
°C
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load per diode
Non-repetitive avalanche energy
at T
J
= 25 °C, L = 60 mH per diode
Peak repetitive reverse current
at t
p
= 2 µs, 1 kHz, T
J
= 38 °C ± 2 °C per diode
Isolation voltage (ITO-220AB only)
from terminal to heatsink t = 1 min
Operating junction and storage temperature range
Document Number: 89131
Revision: 08-Sep-09
For technical questions within your region, please contact one of the following:
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com
www.vishay.com
1

VIT1060C-E3/4W相似产品对比

VIT1060C-E3/4W VBT1060C-E3/4W
描述 diode schottky 10a 60v TO-262aa diode schottky 10a 60v TO-263ab
零件包装代码 TO-262AA D2PAK
包装说明 R-PSIP-T3 R-PSSO-G2
针数 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用 EFFICIENCY EFFICIENCY
外壳连接 CATHODE CATHODE
配置 COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.6 V 0.6 V
JEDEC-95代码 TO-262AA TO-263AB
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流 100 A 100 A
元件数量 2 2
相数 1 1
端子数量 3 2
最高工作温度 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
最大输出电流 5 A 5 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 60 V 60 V
表面贴装 NO YES
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED

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