Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IRF6218STRR

IRF6218STRR: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 150V, 0.15ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, PLASTIC, D2PAK-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小126KB，共8页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/

下载文档详细参数选型对比全文预览

IRF6218STRR概述

Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 150V, 0.15ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, PLASTIC, D2PAK-3

IRF6218STRR规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码	D2PAK
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数	3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	210 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	150 V
最大漏极电流 (ID)	27 A
最大漏源导通电阻	0.15 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-263AB
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	225
极性/信道类型	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	110 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	TIN LEAD
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

PD - 95862

SMPS MOSFET

Applications

Reset Switch for Active Clamp

Reset DC-DC converters

IRF6218

HEXFET

Power MOSFET

-150V 150m

= -10V

DSS

DS(on)

max

-27A

Benefits

Low Gate to Drain Charge to Reduce

Switching Losses

Fully Characterized Capacitance Including

Effective C

OSS

to Simplify Design (See

App. Note AN1001)

Fully Characterized Avalanche Voltage

and Current

TO-220AB

Absolute Maximum Ratings

Parameter

@ T

= 25°C

@ T

= 100°C

= 25°C

dv/dt

STG

Drain-to-Source Voltage

Gate-to-Source Voltage

Continuous Drain Current, V

@ 10V

Continuous Drain Current, V

@ 10V

Pulsed Drain Current

Max.

-150

± 20

-27

-19

-110

250

1.6

8.2

-55 to + 175

Units

Maximum Power Dissipation

Linear Derating Factor

Peak Diode Recovery dv/dt

Operating Junction and

W/°C

V/ns

°C

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

Mounting torque, 6-32 or M3 screw

300 (1.6mm from case )

10 lbf•in (1.1N•m)

Thermal Resistance

Parameter

θJC

θCS

θJA

Junction-to-Case

Typ.

Max.

0.61

–––

Units

°C/W

Case-to-Sink, Flat, Greased Surface

Junction-to-Ambient

–––

0.50

–––

Notes

through

are on page 7

www.irf.com

04/22/04

IRF6218STRR相似产品对比

	IRF6218STRR	IRF6218STRLHR	IRF6218STRL	IRF6218STRRPBF
描述	Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 150V, 0.15ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, PLASTIC, D2PAK-3	Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 150V, 0.15ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, D2PAK-3/2	Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 150V, 0.15ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, PLASTIC, D2PAK-3	Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 150V, 0.15ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3
是否无铅	含铅	含铅	含铅	不含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码	D2PAK	D2PAK	D2PAK	D2PAK
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数	3	3	3	3
Reach Compliance Code	compliant	unknown	unknown	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	210 mJ	210 mJ	210 mJ	210 mJ
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	150 V	150 V	150 V	150 V
最大漏极电流 (ID)	27 A	27 A	27 A	27 A
最大漏源导通电阻	0.15 Ω	0.15 Ω	0.15 Ω	0.15 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2
元件数量	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	225	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	260
极性/信道类型	P-CHANNEL	P-CHANNEL	P-CHANNEL	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	110 A	110 A	110 A	110 A
表面贴装	YES	YES	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	30
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
Base Number Matches	1	1	1	1
JEDEC-95代码	TO-263AB	-	TO-263AB	TO-263AB
JESD-609代码	e0	e0	-	e3
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified
端子面层	TIN LEAD	TIN LEAD	-	MATTE TIN OVER NICKEL

IRF6218STRR

IRF6218STRR概述

IRF6218STRR规格参数

文档预览

IRF6218STRR相似产品对比

推荐资源