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APT30GF60JU3

产品描述igbt 600v 58a 192w sot227
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小532KB,共9页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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APT30GF60JU3概述

igbt 600v 58a 192w sot227

APT30GF60JU3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Microsemi
零件包装代码ISOTOP
包装说明ROHS COMPLIANT, ISOTOP-4
针数4
制造商包装代码ISOTOP
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性AVALANCHE RATED
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)58 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-XUFM-X4
元件数量1
端子数量4
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)192 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)306 ns
标称接通时间 (ton)42 ns
VCEsat-Max2.5 V

APT30GF60JU3相似产品对比

APT30GF60JU3
描述 igbt 600v 58a 192w sot227
是否无铅 不含铅
是否Rohs认证 符合
厂商名称 Microsemi
零件包装代码 ISOTOP
包装说明 ROHS COMPLIANT, ISOTOP-4
针数 4
制造商包装代码 ISOTOP
Reach Compliance Code unknow
ECCN代码 EAR99
其他特性 AVALANCHE RATED
外壳连接 ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 58 A
集电极-发射极最大电压 600 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压 20 V
JESD-30 代码 R-XUFM-X4
元件数量 1
端子数量 4
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 192 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子形式 UNSPECIFIED
端子位置 UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 POWER CONTROL
晶体管元件材料 SILICON
标称断开时间 (toff) 306 ns
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