igbt 600v 58a 192w sot227
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Microsemi |
零件包装代码 | ISOTOP |
包装说明 | ROHS COMPLIANT, ISOTOP-4 |
针数 | 4 |
制造商包装代码 | ISOTOP |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | AVALANCHE RATED |
外壳连接 | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC) | 58 A |
集电极-发射极最大电压 | 600 V |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
门极-发射极最大电压 | 20 V |
JESD-30 代码 | R-XUFM-X4 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 4 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 192 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | UNSPECIFIED |
端子位置 | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | POWER CONTROL |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称断开时间 (toff) | 306 ns |
标称接通时间 (ton) | 42 ns |
VCEsat-Max | 2.5 V |
APT30GF60JU3 | |
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描述 | igbt 600v 58a 192w sot227 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Microsemi |
零件包装代码 | ISOTOP |
包装说明 | ROHS COMPLIANT, ISOTOP-4 |
针数 | 4 |
制造商包装代码 | ISOTOP |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | AVALANCHE RATED |
外壳连接 | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC) | 58 A |
集电极-发射极最大电压 | 600 V |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
门极-发射极最大电压 | 20 V |
JESD-30 代码 | R-XUFM-X4 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 4 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 192 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | UNSPECIFIED |
端子位置 | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | POWER CONTROL |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称断开时间 (toff) | 306 ns |
标称接通时间 (ton) | 42 ns |
VCEsat-Max | 2.5 V |
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