PIN Photodiode
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 其他特性 | RESPONDS TO 600 TO 900 NANO METRE |
| 配置 | SINGLE |
| 最大暗电源 | 10 nA |
| 红外线范围 | NO |
| JESD-609代码 | e0 |
| 安装特点 | THROUGH HOLE MOUNT |
| 功能数量 | 1 |
| 最高工作温度 | 80 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 光电设备类型 | PIN PHOTODIODE |
| 峰值波长 | 600 nm |
| 最长响应时间 | 3e-8 s |
| 最小反向击穿电压 | 100 V |
| 最大反向电压 | 100 V |
| 半导体材料 | Silicon |
| 形状 | ROUND |
| 尺寸 | 3 mm |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches | 1 |
| HR8101 | |
|---|---|
| 描述 | PIN Photodiode |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 其他特性 | RESPONDS TO 600 TO 900 NANO METRE |
| 配置 | SINGLE |
| 最大暗电源 | 10 nA |
| 红外线范围 | NO |
| JESD-609代码 | e0 |
| 安装特点 | THROUGH HOLE MOUNT |
| 功能数量 | 1 |
| 最高工作温度 | 80 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 光电设备类型 | PIN PHOTODIODE |
| 峰值波长 | 600 nm |
| 最长响应时间 | 3e-8 s |
| 最小反向击穿电压 | 100 V |
| 最大反向电压 | 100 V |
| 半导体材料 | Silicon |
| 形状 | ROUND |
| 尺寸 | 3 mm |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches | 1 |
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