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SST31LH021-70-4I-WI

产品描述Memory Circuit, Flash+SRAM, CMOS, PDSO40
产品类别存储    存储   
文件大小1MB,共24页
制造商SST
官网地址http://www.ssti.com
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SST31LH021-70-4I-WI概述

Memory Circuit, Flash+SRAM, CMOS, PDSO40

SST31LH021-70-4I-WI规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid101293419
包装说明TSSOP, TSSOP40,.56,20
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间70 ns
JESD-30 代码R-PDSO-G40
JESD-609代码e0
内存集成电路类型MEMORY CIRCUIT
混合内存类型FLASH+SRAM
端子数量40
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装等效代码TSSOP40,.56,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.00003 A
最大压摆率0.035 mA
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
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