igbt 1200v 100a 1042w tmax
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Microsemi |
| 包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | compli |
| 其他特性 | ULTRA FAST, LOW CONDUCTION LOSS |
| 外壳连接 | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 100 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 1200 V |
| 配置 | SINGLE |
| JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码 | e1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | TIN SILVER COPPER |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称断开时间 (toff) | 359 ns |
| 标称接通时间 (ton) | 60 ns |
| APT75GP120B2G | APT75GP120B2 | |
|---|---|---|
| 描述 | igbt 1200v 100a 1042w tmax | Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, B2, TMAX-3 |
| 是否无铅 | 不含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Microsemi | Microsemi |
| 包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 | B2, TMAX-3 |
| 针数 | 3 | 3 |
| Reach Compliance Code | compli | unknown |
| 其他特性 | ULTRA FAST, LOW CONDUCTION LOSS | ULTRA FAST, LOW CONDUCTION LOSS |
| 外壳连接 | COLLECTOR | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 100 A | 100 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 1200 V | 1200 V |
| 配置 | SINGLE | SINGLE |
| JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 | R-PSIP-T3 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | POWER CONTROL | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
| 标称断开时间 (toff) | 359 ns | 359 ns |
| 标称接通时间 (ton) | 60 ns | 60 ns |
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