DDR DRAM,
参数名称 | 属性值 |
Objectid | 8309607315 |
包装说明 | TFBGA, |
Reach Compliance Code | compliant |
Country Of Origin | Mainland China |
ECCN代码 | EAR99 |
YTEOL | 4.75 |
访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST |
其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B84 |
长度 | 12.5 mm |
内存密度 | 536870912 bit |
内存集成电路类型 | DDR2 DRAM |
内存宽度 | 16 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 84 |
字数 | 33554432 words |
字数代码 | 32000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 105 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 32MX16 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TFBGA |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
座面最大高度 | 1.2 mm |
自我刷新 | YES |
最大供电电压 (Vsup) | 1.9 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 0.8 mm |
端子位置 | BOTTOM |
宽度 | 8 mm |
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