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V59C1512164QFLF25AH

产品描述DDR DRAM,
产品类别存储    存储   
文件大小2MB,共73页
制造商ProMOS Technologies Inc
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V59C1512164QFLF25AH概述

DDR DRAM,

V59C1512164QFLF25AH规格参数

参数名称属性值
Objectid8309607315
包装说明TFBGA,
Reach Compliance Codecompliant
Country Of OriginMainland China
ECCN代码EAR99
YTEOL4.75
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PBGA-B84
长度12.5 mm
内存密度536870912 bit
内存集成电路类型DDR2 DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量84
字数33554432 words
字数代码32000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度105 °C
最低工作温度-40 °C
组织32MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
宽度8 mm
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