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2Z51

产品描述900 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小106KB,共3页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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2Z51概述

900 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE

2Z51规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
最大击穿电压56.1 V
最小击穿电压45.9 V
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
最大动态阻抗65 Ω
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散900 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散1.5 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压51 V
最大反向电流5 µA
表面贴装NO
技术ZENER
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差10%
工作测试电流6 mA
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